©2002 仙童 半导体 公司 fdb10an06a0 / fdp10an06a0 rev. 一个
fdb10an06a0 / fdp10an06a0
图示 11. normalized 门 门槛 电压 vs
接合面 温度
图示 12. normalized 流 至 源
损坏 电压 vs 接合面 温度
图示 13. 电容 vs 流 至 源
电压
图示 14. 门 承担 波形 为 常量
门 电流
典型 特性
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-80 -40 0 40 80 120 160 200
normalized 门
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个
门槛 电压
0.9
1.0
1.1
1.2
-80 -40 0 40 80 120 160 200
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
I
D
= 250
µ
一个
损坏 电压
100
1000
0.1 1 10
50
3000
60
c, 电容 (pf)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
= 0v, f = 1mhz
C
ISS
=
C
GS
+ c
GD
C
OSS
≅
C
DS
+ c
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0 5 10 15 20 25 30
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
Q
g
, 门 承担 (nc)
V
DD
= 30v
I
D
= 75a
I
D
= 12a
波形 在
descending 顺序: