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资料编号:323510
 
资料名称:FDP7030
 
文件大小: 112.6K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
 
 


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fdp7030bl/fdb7030bl revd1(w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 avalanche 比率(便条 1)
W
DSS
单独的 脉冲波 流-源
avalanche 活力
V
DD
= 15 v, I
D
= 60 一个 73 mJ
I
AR
最大 流-源 avalanche
电流
60 一个
止 特性
BV
DSS
drain–source 损坏 电压
V
GS
= 0 v, I
D
= 250
µ
一个
30 V
BVDSS
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
= 250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
22
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 24 v, V
GS
= 0 v 1
µ
一个
I
GSS
gate–body 泄漏
V
GS
=
±
20 v, V
DS
= 0 v
±
100
nA
在 特性 (便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, I
D
= 250
µ
一个
1 1.9 3 V
Vgs(th)
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= 250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
–5
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 drain–source on–
阻抗
V
GS
= 10 v, I
D
= 30 一个
V
GS
= 4.5 v, I
D
= 25 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 30 一个, t
J
=125
°
C
6.8
8.5
10.1
9
12
18
m
I
d(在)
on–state 流 电流 V
GS
= 10 v, V
DS
= 10 v 30 一个
g
FS
向前跨导 V
DS
= 10v, I
D
= 30 一个 85 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 1760 pF
C
oss
输出 电容 440 pF
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= 15 v, V
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
185 pF
R
G
门 阻抗 V
GS
= 15 mv, f = 1.0 mhz 1.2
切换 特性 (便条 2)
t
d(在)
turn–on 延迟 时间 12 22 ns
t
r
turn–on 上升 时间 12 22 ns
t
d(止)
turn–off 延迟 时间 30 48 ns
t
f
turn–off 下降 时间
V
DD
= 15v, I
D
= 1 一个,
V
GS
= 10 v, R
GEN
= 6
19 33 ns
Q
g
总的 门 承担 17 24 nC
Q
gs
gate–source 承担 5.4 nC
Q
gd
gate–drain 承担
V
DS
= 15 v, I
D
= 30 一个,
V
GS
= 5 v
6.4 nC
drain–source 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 drain–source 二极管 向前 电流 60 一个
V
SD
drain–source 二极管 向前
电压
V
GS
= 0 v, I
S
= 30 一个 (便条 1) 0.92 1.3 V
t
rr
二极管 反转 恢复 时间 30 nS
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担
I
F
= 30 一个,
d
如果
/d
t
= 100 一个/µs
20 nC
注释:
1. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s, 职责 循环 < 2.0%
fdp7030bl/fdb7030bl
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