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fdp61n20 rev. 一个
fdp61n20 200v n-频道 场效应晶体管
九月 2005
UniFET
TM
FDP61N20
200v n-频道 场效应晶体管
特性
• 61a, 200v, r
ds(在)
= 0.041
Ω
@V
GS
= 10 v
• 低 门 承担 ( 典型 58 nc)
• 低 c
rss
( 典型 80 pf)
• 快 切换
• 100% avalanche 测试
• 改进 dv/dt 能力
描述
这些 n-频道 增强 模式 电源 地方 效应 transis-
tors 是 生产 使用 仙童’s 专卖的, planar stripe,
dmos 技术.
这个 先进的 技术 有 被特别 tailored 至 迷你-
mize 在-状态 阻抗, provide 更好的 切换 perfor-
mance, 和 承受 高 活力 脉冲波 在 这 avalanche 和
commutation 模式. 这些 设备 是 好 suited 为 高 effi-
cient 切换 模式 电源 供应 和 起作用的 电源 因素
纠正.
绝对 最大 比率
热的 特性
{
{
{
z
z
z
{
{
{
z
z
z
S
D
G
至-220
fcp 序列
G
S
D
标识 参数 FDP61N20 单位
V
DSS
流-源 电压 200 V
I
D
流 电流 - 持续的 (t
C
= 25
°
c)
- 持续的 (t
C
= 100
°
c)
61
38.5
一个
一个
I
DM
流 电流 - 搏动
(便条 1)
244 一个
V
GSS
门-源 电压
±
30 V
E
作
单独的 搏动 avalanche 活力
(便条 2)
1440 mJ
I
AR
avalanche 电流
(便条 1)
61 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
(便条 1)
41.7 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
(便条 3)
4.5 v/ns
P
D
电源 消耗 (t
C
= 25
°
c)
- 减额 在之上 25
°
C
417
3.3
W
w/
°
C
T
j,
T
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 +150
°
C
T
L
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的,
1/8” 从 情况 为 5 秒
300
°
C
标识 参数 最小值 最大值 单位
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 -- 0.3
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 -- 62.5
°
c/w
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