©2002 仙童 半导体 公司 fdh20n40 / fdp20n40 rev. 一个
fdh20n40 / fdp20n40
包装 标记 和 订货 信息
电的 特性
T
C
= 25
°
c (除非 否则 指出)
Statics
Dynamics
avalanche 特性
流-源 二极管 特性
注释:
1:
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度
2:
开始 t
J
= 25
°
c, l = 5.5mh, i
作
= 20a
设备 标记 设备 包装 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDH20N40 FDH20N40 至-247 Tube - 30
FDP20N40 FDP20N40 至-220 Tube - 50
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
B
VDSS
流 至 源 损坏 电压 I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v 400 - - V
∆
B
VDSS
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数
v/
°
c 涉及 至 25
°
C
I
D
= 1ma
-0.43-
r
ds(在)
流 至 源 在-阻抗 V
GS
= 10v, i
D
= 10a - 0.200 0.216
Ω
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa 2.0 3.5 4.0 V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 400v T
C
= 25
o
c- - 25
µA
V
GS
= 0v T
C
=150
o
C - - 250
I
GSS
门 至 源 泄漏 电流 V
GS
= ±20v - - ±100 nA
g
fs
向前 跨导 V
DS
= 50v, i
D
= 10a 10 - - S
Q
g(tot)
总的 门 承担 在 10v
V
GS
= 10v
V
DS
= 320v
I
D
= 20a
-3542nc
Q
gs
门 至 源 门 承担 - 10 12 nC
Q
gd
门 至 流
“
Miller
”
承担 - 12 14.4 nC
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
V
DD
= 200v
I
D
= 20a
R
G
= 10
Ω
R
D
= 15.4
Ω
- 12.4 - ns
t
r
上升 时间 - 32.5 - ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 - 30 - ns
t
f
下降 时间 - 34 - ns
C
ISS
输入 电容
V
DS
= 25v, v
GS
= 0v
f = 1mhz
-1840- pF
C
OSS
输出 电容 - 245 - pF
C
RSS
反转 转移 电容 - 18 - pF
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力 (便条 2) 1100 - - mJ
I
AR
avalanche 电流 - - 20 一个
I
S
持续的 源 电流
(身体 二极管)
场效应晶体管 标识
表明 这
integral 反转
p-n 接合面 二极管.
--20a
I
SM
搏动 源 电流 (便条 1)
(身体 二极管)
--80a
V
SD
源 至 流 二极管 电压 I
SD
= 20a - 0.9 1.2 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
SD
= 20a, di
SD
/dt = 100a/µs - 351 456 ns
Q
RR
反转 recovered 承担 I
SD
= 20a, di
SD
/dt = 100a/µs - 4.5 5.85 µC
D
G
S
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