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资料编号:323527
 
资料名称:FDP6021P
 
文件大小: 80.52K
   
说明
 
介绍:
20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
 
 


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fdp6021p/fdb6021p rev. b(w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
drain–source 损坏 电压
V
GS
= 0 v, i
D
= –250
µ
一个
–20 V
BV
DSS
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
= –250
µ
一个,关联 至 25
°
C
–16
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= –16 v, V
GS
= 0 v –1
µ
一个
I
GSSF
gate–body 泄漏, 向前 v
GS
= 8 v, V
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
gate–body 泄漏, 反转 v
GS
DS
= 0 v –100 nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= –250
µ
一个
–0.4 –0.7 –1.5 V
V
gs(th)
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= –250
µ
一个,关联 至 25
°
C
3
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 drain–source
On–Resistance
V
GS
= –4.5 v, I
D
= –14 一个
V
GS
= –2.5 v, I
D
= –12 一个
V
GS
= –1.8 v, I
D
= –10 一个
V
GS
= –4.5v, i
D
= –14 一个, t
J
=125
°
C
24
31
50
30
30
40
65
42
m
I
d(在)
on–state 流 电流 V
GS
= –4.5 v, V
DS
= –5 v –40 一个
g
FS
向前 跨导 V
DS
D
= –14 一个 33 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 1890 pf
C
oss
输出 电容 302 pf
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= –10 v, V
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
124 pF
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
turn–on 延迟 时间 13 23 ns
t
r
turn–on 上升 时间 10 20 ns
t
d(止)
turn–off 延迟 时间 80 128 ns
t
f
turn–off 下降 时间
V
DD
= –10 v, I
D
V
GS
= –4.5 v, R
GEN
= 6
50 80 ns
Q
g
总的 门 承担 20 28 nc
Q
gs
gate–source 承担 4 nc
Q
gd
gate–drain 承担
V
DS
= –10 v, I
D
= –14 一个,
V
GS
= –4.5 v
7 nc
drain–source 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 drain–source 二极管 向前 电流 –28 一个
V
SD
drain–source 二极管 向前
电压
V
GS
= 0 v, I
S
= –14 一个 –0.9 –1.3 V
注释:
1.
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s, 职责 循环 < 2.0%
2.
至-220 包装 是 有提供的 在 tube / 栏杆 @ 45 片 每 栏杆.
3.
计算 持续的 电流 为基础 在 最大 容许的 接合面 温度. 真实的 最大 持续的 电流 限制 用 package constraints 至 75a
fdp6021p/fdb6021p
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