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资料编号:323574
 
资料名称:FDS4559
 
文件大小: 147.37K
   
说明
 
介绍:
60V Complementary PowerTrench MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
fds4559 rev c1(w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识
参数 测试 情况 类型 最小值
典型值 最大值 单位
流-源 avalanche 比率
(便条 1)
W
DSS
单独的 脉冲波 流-源
avalanche 活力
V
DD
= 30 v, I
D
= 4.5 一个 Q1 90 mJ
I
AR
最大 流-源
avalanche 电流
q1 4.5 一个
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏
电压
V
GS
= 0 v, i
D
= 250 µa
V
GS
= 0 v, i
D
= –250 µa
Q1
Q2
60
–60
V
BV
DSS
T
J
损坏 电压
温度 系数
I
D
= 250 µa, 关联 至 25
°
C
I
D
= –250 µa, 关联 至 25
°
C
Q1
Q2
58
–49
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流
电流
V
DS
= 48 v, v
GS
= 0 v
V
DS
= –48 v, v
GS
= 0 v
Q1
Q2
1
–1
µ
一个
I
GSS
门-身体 泄漏 V
GS
= +20 v, v
DS
= 0 v
V
GS
= +20 v, v
DS
= 0 v
Q1
Q2
+
100
+
100
nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= 250 µa
V
DS
= v
GS
, i
D
= –250 µa
Q1
Q2
1
–1
2.2
–1.6
3
–3
V
V
gs(th)
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= 250 µa, 关联 至 25
°
C
I
D
= –250 µa, 关联 至 25
°
C
Q1
Q2
–5.5
4
mv/
°
C
Q142
72
55
55
94
75
R
ds(在)
静态的 流-源
在-阻抗
V
GS
= 10 v, i
D
= 4.5 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 4.5 一个, t
J
= 125
°
C
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 4 一个
V
GS
= –10 v, i
D
= –3.5 一个
V
GS
= –10 v, i
D
= –3.5 一个, t
J
= 125
°
C
V
GS
= –4.5 v, i
D
= –3.1 一个
Q2
82
130
105
105
190
135
m
I
d(在)
在-状态 流 电流 V
GS
= 10 v, v
DS
= 5 v
V
GS
= –10 v, v
DS
= –5 v
Q1
Q2
20
–20
一个
g
FS
向前 跨导 v
DS
= 10 v, i
D
= 4.5 一个
V
DS
= –5 v, i
D
= –3 5 一个
Q1
Q2
14
9
S
动态 特性
C
iss
输入 电容 Q1
Q2
650
759
pF
C
oss
输出 电容 Q1
Q2
80
90
pF
C
rss
反转 转移
电容
Q1
V
DS
= 25 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
Q2
V
DS
= –30 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
Q1
Q2
35
39
pF
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
Q1
Q2
11
7
20
14
ns
t
r
转变-在 上升 时间
Q1
Q2
8
10
18
20
ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
Q1
Q2
19
19
35
34
ns
t
f
转变-止 下降 时间
Q1
V
DD
= 30 v, i
D
= 1 一个,
V
GS
= 10v, r
GEN
= 6
Q2
V
DD
= –30 v, i
D
= –1 一个,
V
GS
= –10 v, r
GEN
= 6
Q1
Q2
6
12
15
22
ns
Q
g
总的 门 承担
Q1
Q2
12.5
15
18
21
nC
Q
gs
门-源 承担
Q1
Q2
2.4
2.5
nC
Q
gd
门-流 承担
Q1
V
DS
= 30 v, i
D
= 4.5 一个, v
GS
= 10 v
Q2
V
DS
= –30 v, i
D
= –3.5 一个, v
GS
= –10v
Q1
Q2
2.6
3.0
nC
FDS4559
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