fds7764s rev d (w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
drain–source 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= 1 毫安 30 V
∆
BV
DSS
∆
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
= 10 毫安, 关联 至 25
°
C
23
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 24 v, V
GS
= 0 v 500
µ
一个
I
GSSF
gate–body 泄漏, 向前 V
GS
= 16 v, v
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
gate–body 泄漏, 反转 V
GS
= –16 v , v
DS
= 0 v –100 nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= 1 毫安 0.8 1.4 2 V
∆
V
gs(th)
∆
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= 10 毫安, 关联 至 25
°
C
–2
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 drain–source
On–Resistance
V
GS
= 10 v, I
D
= 13.5 一个
V
GS
= 4.5 v, I
D
= 12 一个
V
GS
= 10 v, I
D
=13.5a, t
J
= 125
°
C
6
7
8
7.5
9
10
m
Ω
g
FS
向前 跨导 v
DS
= 10 v, I
D
= 13.5 一个 72 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 2800 pF
C
oss
输出 电容 530 pf
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= 15 v, V
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
195 pF
R
G
门 阻抗 V
GS
= 15 mv, f = 1.0 mhz 1.4
Ω
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
turn–on 延迟 时间 9 18 ns
t
r
turn–on 上升 时间 7 14 ns
t
d(止)
turn–off 延迟 时间 46 74 ns
t
f
turn–off 下降 时间
V
DD
= 15 v, I
D
= 1 一个,
V
GS
= 10 v,R
GEN
= 6
Ω
16 29 ns
Q
g
总的 门 承担 25 35 nC
Q
gs
gate–source 承担 6 nc
Q
gd
gate–drain 承担
V
DS
= 15 v, I
D
= 13.5 一个,
V
GS
= 5 v
6nC
FDS7764S
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