April1998
FDS6680
单独的n-频道 逻辑 水平的 pwm 优化 powertrench
TM
场效应晶体管
一般 描述特性
绝对 最大 比率
T
一个
= 25
o
c 除非 其它 wise 指出
标识 参数 FDS6680 单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压 ±20 V
I
D
流 电流 - 持续的(便条 1a) 11.5 一个
- 搏动 50
P
D
电源 消耗为 单独的 运作(便条 1a) 2.5 W
(便条 1b) 1.2
(便条 1c) 1
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的(便条 1a) 50 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况(便条 1) 25 °c/w
FDS6680rev.e1
11.5一个, 30 v. r
ds(在)
= 0.010
Ω
@V
GS
= 10 v
R
ds(在)
= 0.015
Ω
@V
GS
= 4.5 v.
优化 为 使用 在 切换 直流/直流 转换器 和
pwm 控制者.
非常 快切换.
低 门 承担 (典型 qg = 19nc).
sot-23
SuperSOT
TM
-8
soic-16
所以-8 sot-223SuperSOT
TM
-6
这个n-频道 逻辑 水平的 场效应晶体管 有被 设计
specifically 至 改进 这 整体的 效率 的直流/直流
转换器 使用 也 同步的 或者 常规的
切换 pwm 控制者.
这 场效应晶体管 特性 faster 切换 和 更小的 门
承担 比 其它 mosfets 和 comparableR
ds(在)
规格.
这 结果 是 一个 场效应晶体管 那 是 容易 和 safer 至 驱动 (甚至
在 非常 高 发生率), 和 直流/直流 电源 供应设计
和 高等级的 整体的 效率.
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