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资料编号:323653
 
资料名称:FDS8880
 
文件大小: 259.38K
   
说明
 
介绍:
N-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
fds8880 n-频道 powertrench
®
场效应晶体管
fds8880 rev. a1
www.fairchildsemi.com
5
便条: 谈及 至 仙童 应用 注释 an7514 和 an7515
图示 5. unclamped inductive 切换
能力
图示 6. 转移 特性
图示 7. 饱和 特性 图示 8. 流 至 源 在 阻抗 vs 门
电压 和 流 电流
图示 9. normalized 流 至 源 在
阻抗 vs 接合面 温度
图示 10. normalized 门 门槛 电压 vs
接合面 温度
典型 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
1
10
100
0.01 0.1 1 10 100
I
, avalanche 电流 (一个)
t
AV
, 时间 在 avalanche (ms)
开始 t
J
= 25
o
C
开始 t
J
= 150
o
C
t
AV
= (l)(i
)/(1.3*rated bv
DSS
- v
DD
)
如果 r = 0
如果 r
0
t
AV
= (l/r)ln[(i
*r)/(1.3*rated bv
DSS
- v
DD
) +1]
0
10
20
30
40
50
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
I
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
DD
= 15v
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
0
10
20
30
40
50
0 0.2 0.4 0.6 0.8
I
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
GS
= 3v
V
GS
= 10v
T
一个
= 25
o
C
V
GS
= 4v
V
GS
= 5v
0
10
20
30
40
50
246810
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
I
D
= 11.6a
r
ds(在)
, 流 至 源
在 阻抗 (m
)
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
I
D
= 1a
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-80 -40 0 40 80 120 160
normalized 流 至 源
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
在 阻抗
V
GS
= 10v, i
D
= 11.6a
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
0.6
0.8
1.0
1.2
-80 -40 0 40 80 120 160
normalized 门
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个
门槛 电压
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