©2003 仙童 半导体 公司 fds3672 rev. b
FDS3672
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
止 特性
在 特性
动态 特性
切换 特性
(v
GS
= 10v)
流-源 二极管 特性
注释:
1:
开始 t
J
= 25°c, l = 13mh, i
作
= 8a.
2:
R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这 solder 挂载 表面 的 这
流 管脚. r
θ
JC
是 有保证的 用 设计 当 r
θ
CA
是 决定 用 这 用户’s 板 设计.
3:
R
θ
JA
是 量过的 和 1.0 在
2
铜 在 fr-4 板
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
B
VDSS
流 至 源 损坏 电压 I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v 100 - - V
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 80v - - 1
µ
一个
V
GS
= 0v T
C
= 150
o
c- - 250
I
GSS
门 至 源 泄漏 电流 V
GS
=
±
20V - -
±
100 nA
V
gs(th)
门 至 源 门槛 电压 V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
a2-4v
r
ds(在)
流 至 源 在 阻抗
I
D
= 7.5a, v
GS
= 10v - 0.019 0.023
Ω
I
D
= 6.8a, v
GS
= 6v - 0.023 0.028
I
D
= 7.5a, v
GS
= 10v,
T
C
= 150
o
C
- 0.035 0.043
C
ISS
输入 电容
V
DS
= 25v, v
GS
= 0v,
f = 1mhz
-2015- pF
C
OSS
输出 电容 - 285 - pF
C
RSS
反转 转移 电容 - 70 - pF
Q
g(tot)
总的 门 承担 在 10v V
GS
= 0v 至 10v
V
DD
= 50v
I
D
= 7.5a
I
g
= 1.0ma
-2837nc
Q
g(th)
门槛 门 承担 V
GS
= 0v 至 2v - 4 6 nC
Q
gs
门 至 源 门 承担 - 10 - nC
Q
gs2
门 承担 门槛 至 plateau - 6.8 - nC
Q
gd
门 至 流 “miller” 承担 - 6 - nC
t
在
Tur n-OnTime
V
DD
= 50v, i
D
= 4a
V
GS
= 10v, r
GS
= 10
Ω
--51ns
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 - 14 - ns
t
r
上升 时间 - 20 - ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 - 37 - ns
t
f
下降 时间 - 27 - ns
t
止
转变-止 时间 - - 96 ns
V
SD
源 至 流 二极管 电压
I
SD
= 7.5a - - 1.25 V
I
SD
= 4a - - 1.0 V
t
rr
反转 恢复 时间 I
SD
= 7.5a, di
SD
/dt= 100a/
µ
s- - 55 ns
Q
RR
反转 recovered 承担 I
SD
= 7.5a, di
SD
/dt= 100a/
µ
s- - 90nC
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