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资料编号:323666
资料名称:
FDS6984AS
文件大小: 150.3K
说明
:
介绍
:
Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
fds6984as rev 一个 (x)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识
参数 测试 情况 类型
最小值
典型值 最大值
单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏
电压
V
GS
= 0 v, i
D
= 1 毫安
V
GS
= 0 v, i
D
= 250 µa
Q2
Q1
30
30
V
V
DS
= 24 v, v
GS
= 0 v
Q2
Q1
500
1
µ
一个
q2 2.3
毫安
I
DSS
零 门 电压 流
电流
V
DS
= 24 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 125
°
C
Q1
79
nA
I
GSS
门-身体 泄漏
V
GS
=
±
20 v, v
DS
= 0 v
所有
±
100
nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= 1 毫安
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250 µa
Q2
Q1
1
1
1.7
1.8
3
3
V
∆
V
gs(th)
∆
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= 1 毫安, 关联 至 25
°
C
I
D
= 250 ua, 关联 至 25
°
C
Q2
Q1
–3
–4
mv/
°
C
V
GS
= 10 v, i
D
= 8.5 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 8.5 一个, t
J
= 125
°
C
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 7 一个
Q2
17
24
21
20
32
28
R
ds(在)
静态的 流-源
在-阻抗
V
GS
= 10 v, i
D
= 5.5 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 5.5 一个, t
J
= 125
°
C
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 4.6 一个
q1 26
34
32
31
43
40
m
Ω
I
d(在)
在-状态 流 电流
V
GS
= 10 v, v
DS
= 5 v
Q2
Q1
30
20
一个
g
FS
向前 跨导 v
DS
= 5 v, i
D
= 8.5 一个
V
DS
= 5 v, i
D
= 5.5 一个
Q2
Q1
25
18
S
动态 特性
C
iss
输入 电容
Q2
Q1
530
420
pF
C
oss
输出 电容
Q2
Q1
170
120
pF
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= 15 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
Q2
Q1
60
50
pF
R
G
门 阻抗
V
GS
= 15mv, f = 1.0 mhz
Q2
Q1
3.1
2.2
Ω
FDS6984
一个
S
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