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资料编号:323676
 
资料名称:FDS6875
 
文件大小: 194.65K
   
说明
 
介绍:
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
 
 


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FDS6875rev.c
典型 电的 特性
图示 1. 在-区域 特性
.
图示 2. 在-阻抗 变化 和
dain 电流 和 门 电压
.
图示 3. 在-阻抗 变化
温度
.
图示 5. 转移 特性. 图示 6. 身体 二极管 向前电压
Variation和 源 电流
和 温度.
图示 4.在-阻抗
变化
门-至-源 电压.
0 0.6 1.2 1.8 2.4 3
0
5
10
15
20
- v , 流-源 电压 (v)
- i , 流-源 电流 (一个)
DS
D
-2.0v
-2.5v
-3.0v
V=-4.5v
GS
0 4 8 12 16 20
0.5
1
1.5
2
2.5
- i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
D
V=-2.0v
GS
r , normalized
ds(在)
-4.5v
-2.5 v
-3.5 v
-3.0 v
1 2 3 4 5
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
- v , 门 至 源 电压 (v)
GS
r , 在-阻抗 (ohm)
ds(在)
25°C
T=125°C
一个
I=-3.0a
D
0.5 1 1.5 2 2.5
0
5
10
15
20
- v , 门 至 源 电压 (v)
- i , 流 电流 (一个)
V=-5.0v
DS
GS
D
T=-55°C
J
125°C
25°C
0 0.3 0.6 0.9 1.2
0.001
0.01
0.1
1
5
20
- v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
- i , 反转 流 电流 (一个)
25°C
-55°C
V=0V
GS
SD
S
T=125°C
J
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
r , normalized
ds(在)
V=-4.5v
GS
I=-6a
D
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