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资料编号:323678
 
资料名称:FDS8934A
 
文件大小: 417.44K
   
说明
 
介绍:
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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FDS8934一个rev.b
0 4 8 12 16 20
0.5
1
1.5
2
2.5
3
- i , 流 电流 (一个)
流-源 在-阻抗
v = -1.5v
GS
D
r , normalized
ds(在)
-2.5v
-2.0v
-4.5v
-3.0v
典型 电的 特性
图示 1. 在-区域 特性
.
图示 2. 在-阻抗 变化 和
流 电流 和 门
电压.
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
t , 接合面 温度 (°c)
流-源 在-阻抗
J
r , normalized
ds(在)
v = -4.5v
GS
i = -4.0a
D
图示 3. 在-阻抗 变化
温度
.
0.4 0.8 1.2 1.6 2
0
2
4
6
8
10
-v , 门 至 源 电压 (v)
- i , 流 电流 (一个)
v = -5v
DS
GS
D
125°C
25°C
t = -55°c
J
图示 5. 转移 特性
.
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
0.001
0.01
0.1
1
3
10
-v , 身体 二极管 向前 电压 (v)
- i , 反转 流 电流 (一个)
25°C
-55°c
v = 0v
GS
SD
S
t =125°c
J
图示 6. 身体 二极管 向前电压
Variation和 源 电流
和 温度.
0 1 2 3 4 5
0
0.05
0.1
0.15
0.2
-v , 门 至 源 电压 (v)
GS
r , 在-阻抗 (ohm)
ds(在)
25°C
i = -2a
D
t = 125°c
一个
图示 4.在-阻抗变化
门-至-源 电压.
0 1 2 3 4 5
0
5
10
15
20
-v , 流-源 电压 (v)
- i , 流-源 电流 (一个)
DS
D
-2.0v
-2.5v
-3.0v
v = -4.5v
GS
-1.5v
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