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资料编号:323683
 
资料名称:FDS9936
 
文件大小: 416.7K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1998
FDS9936A
双 n-频道 增强 模式 地方 效应 晶体管
一般 描述 特性
绝对 最大 比率
T
一个
= 25
o
c 除非 其它 wise 指出
标识 参数 FDS9936A 单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压 ±20 V
I
D
流 电流 - 持续的(便条 1a) 5.5 一个
- 搏动 20
P
D
电源 消耗 为 双 运作 2 W
电源 消耗为 单独的 运作(便条 1a) 1.6
(便条 1b) 1
(便条 1c) 0.9
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的(便条 1a) 78 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况(便条 1) 40 °c/w
FDS9936Arev.b
5.5一个, 30 v. r
ds(在)
= 0.040
@ v
GS
= 10v,
R
ds(在)
= 0.060
@ v
GS
= 4.5 v.
高 密度 cell 设计为 极其 低 r
ds(在)
.
高 电源 和 电流 处理 能力 在 一个 widely
使用 表面 挂载 包装.
双 场效应晶体管 在 表面 挂载 包装
sot-23
SuperSOT
TM
-8
soic-16
所以-8 sot-223
SuperSOT
TM
-6
所以-8n-频道 增强 模式 电源 地方 效应
晶体管 是 生产 使用 仙童's 专卖的, 高
cell 密度, dmos 技术. 这个 非常 高 密度
处理 是 特别 tailored 至提供 更好的 切换
效能降低 在-状态 阻抗.这些 设备
是 特别 suited 为 低 电压 产品 此类 作 disk
驱动 发动机 控制, 电池 powered 电路 在哪里 快
切换, 低 在-线条 电源 丧失, 和 阻抗 至 过往旅客
是 需要.
S1
D1
S2
G1
所以-8
D2
D2
D1
G2
FDS
9936A
管脚
1
1
5
7
8
2
3
4
6
© 1998 仙童 半导体 公司
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