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资料编号:323685
 
资料名称:FDS6910
 
文件大小: 112.77K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
 
 


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fds6910 rev b(w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
drain–source 损坏 电压
V
GS
= 0 v, I
D
= 250
µ
一个
30 V
BV
DSS
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
= 250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
28
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 24 v, V
GS
= 0 v
V
DS
= 24 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
°
C
1
10
µ
一个
I
GSS
gate–source 泄漏
V
GS
=
±
20 v, V
DS
= 0 v
±
100
nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
µ
一个
1 1.8 3 V
V
gs(th)
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= 250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
–4.7
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 drain–source
On–Resistance
V
GS
= 10 v, I
D
= 7.5 一个
V
GS
= 4.5 v, I
D
= 6.5 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 7.5 一个,t
J
= 125
°
C
10.6
13
14.5
13
1
7
20
m
I
d(在)
on–state 流 电流 V
GS
= 10 v, V
DS
= 5 v 20 一个
g
FS
向前 跨导V
DS
= 5 v, I
D
= 7.5 一个 36 S
动态 特性
C
iss
输入 电容
1130 pF
C
oss
输出 电容
300 pF
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= 15 v, V
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
100 pF
R
G
门 阻抗
V
GS
= 15 mv,f = 1.0 mhz
2.4
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
turn–on 延迟 时间
9 18 ns
t
r
turn–on 上升 时间
5 10 ns
t
d(止)
turn–off 延迟 时间
26 42 ns
t
f
turn–off 下降 时间
V
DD
= 15 v, I
D
= 1 一个,
V
GS
= 10 v, R
GEN
= 6
7 14 ns
Q
g(tot)
总的 门 承担 在 vgs=10v 17 24 nC
Q
g
总的 门 承担 在 vgs=5v 9 13 nC
Q
gs
gate–source 承担 3.1 nc
Q
gd
gate–drain 承担
V
DD
= 15 v, i
D
= 7.5 一个,
2.7 nC
FDS6910
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