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资料编号:323709
 
资料名称:FDS9953A
 
文件大小: 73.89K
   
说明
 
介绍:
Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


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fds9953a rev b(w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 characteristics
BV
DSS
源 损坏
电压
V
GS
= 0 v, i
D
=250
µ
一个
–30 V
BV DSS
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
=250
µ
一个,关联 至 25
°
C
–23
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
=–24v, V
GS
= 0 v –2
µ
一个
I
GSSF
Body 泄漏, 向前
V
GS
=–25v, V
DS
= 0 v –100 nA
I
GSSR
身体 泄漏, 反转
V
GS
=25v, V
DS
= 0 v 100 nA
在 特性 (便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
=–250
µ
一个
–1 1.8 3.0 V
V gs(th)
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
=250
µ
一个,关联 至 25
°
C
4
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 流
阻抗
V
GS
=–10v,I
D
=–1一个
V
GS
=10 v, i
D
=1一个, t
J
=125
°
C
V
GS
=–4.5 v, i
D
=0.5一个
V
GS
=4.5v,I
D
=0.5一个,T
J
=125
°
C
95
137
142
202
130
200
200
310
m
V
GS
=–10v, V
DS
=5 v –5
I
d(在)
状态 流 电流
V
GS
=4.5 v, V
DS
=5 v –1.5
一个
g
FS
向前 跨导 V
DS
=–15 v, I
D
=–1一个 4 S
动态 特性
C
iss
Input 电容 185 pF
C
oss
输出 电容 56 pF
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
=–15v, V
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
26 pF
切换 特性 (便条 2)
t
d(在)
转变On 延迟 时间 4.5 9 ns
t
r
转变在 上升 时间 13 23 ns
t
d(止)
转变止 延迟 时间 11 20 ns
t
f
转变止 下降 时间
V
DD
=–15v, I
D
=1 一个,
V
GS
=–10v, R
GEN
= 6
2 4 ns
Q
g
总的 门 承担 2.5 3.5 nC
Q
gs
源 承担 0.8 nC
Q
gd
流 承担
V
DS
=–5v, I
D
=–1一个,
V
GS
=–10V
0.9 nC
源 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的源 二极管 向前 电流
1.2
一个
V
SD
源 二极管 向前
电压
V
GS
= 0 v, I
S
=1.3 一个 (便条 2) 0.8 1.3 V
t
rr
反转 恢复 时间 V
GS
= 0 v,I
F
=1.25一个,
dI
F
/dt =100a/
µ
s
17 100 nS
FDS9953A
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