首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:323715
 
资料名称:FDS8958
 
文件大小: 233.48K
   
说明
 
介绍:
Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号FDS8958的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号FDS8958的Datasheet PDF文件第2页
2

3
浏览型号FDS8958的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号FDS8958的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号FDS8958的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号FDS8958的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号FDS8958的Datasheet PDF文件第8页
8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
fds8958 rev一个(w)
电的 特性
(持续)
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 类型 最小值 典型值 最大值 单位
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 Q1
Q2
6
6.7
12
13.4
ns
t
r
转变-在 上升 时间 Q1
Q2
10
9.7
18
19.4
ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 Q1
Q2
18
19.8
29
35.6
ns
t
f
转变-止 下降 时间
Q1
V
DD
= 10 v, i
D
= 1 一个,
V
GS
= 10v, r
GEN
= 6
Q2
V
DD
= -10 v, i
D
= -1 一个,
V
GS
= -10v, r
GEN
= 6
Q1
Q2
5
12.3
12
22.2
ns
Q
g
总的 门 承担 Q1
Q2
16
14
26
23
nC
Q
gs
门-源 承担 Q1
Q2
2.5
2.2
nC
Q
gd
门-流 承担
Q1
V
DS
= 15 v, i
D
= 7 一个, v
GS
= 10 v
Q2
V
DS
= -15 v, i
D
= -5 一个,v
GS
= -10 v
Q1
Q2
2.1
1.9
nC
drain–source 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 流-源 二极管 向前 电流 Q1
Q2
1.3
-1.3
一个
V
SD
流-源 二极管 向前
电压
V
GS
= 0 v, i
S
= 1.3 一个
(便条 2)
V
GS
= 0 v, i
S
= -1.3 一个
(便条 2)
Q1
Q2
0.74
-0.76
1.2
-1.2
V
注释:
1.
R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这 焊盘 挂载 表面 的
这 流 管脚. r
θ
JC
是 有保证的 用 设计 当 r
θ
CA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
一个) 78°/w 当
挂载 在 一个
0.5 在
2
垫子 的 2 oz
b) 125°/w 当
挂载 在 一个 .02 在
2
垫子 的 2 oz 铜
c) 135°/w 当 挂载 在 一个
最小 垫子.
规模1 : 1 在 letter 大小 paper
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s, 职责 循环 < 2.0%
FDS8958
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com