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资料编号:323718
资料名称:
FDS6900AS
文件大小: 183.99K
说明
:
介绍
:
Dual N-Ch PowerTrench SyncFET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
F
D
S6
9
0
0
作
R
e
v
B
(
X
)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识
参数 测试 情况 类型
最小值
典型值 最大值
单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏
电压
V
GS
= 0 v,
I
D
= 1 毫安
V
GS
= 0 v,
I
D
= 250 ua
Q2
Q1
30
30
V
∆
BV
DSS
∆
T
J
损坏 电压
温度 系数
I
D
= 10 毫安, 关联 至 25
°
C
I
D
= 250 µa, 关联 至 25
°
C
Q2
Q1
27
22
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流
电流
V
DS
= 24 v,
V
GS
= 0 v
Q2
Q1
500
1
µ
一个
I
GSS
门-身体 泄漏
V
GS
=
±
20 v,
V
DS
= 0 v
Q2
Q1
±
100
nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= 1 毫安
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250 µa
Q2
Q1
1
1
1.9
1.9
3
3
V
∆
V
gs(th)
∆
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= 10 毫安, 关联 至 25
°
C
I
D
= 250 ua, 关联 至 25
°
C
Q2
Q1
–3.2
–4.2
mv/
°
C
V
GS
= 10 v,
I
D
= 8.2 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 8.2 一个, t
J
= 125
°
C
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 7.6 一个
Q2
17
23
21
22
36
28
R
ds(在)
静态的 流-源
在-阻抗
V
GS
= 10 v,
I
D
= 6.9 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 6.9 一个, t
J
= 125
°
C
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 6.2 一个
q1 22
30
27
27
38
34
m
Ω
I
d(在)
在-状态 流 电流
V
GS
= 10 v,
V
DS
= 5 v
Q2
Q1
30
20
一个
g
FS
向前 跨导 v
DS
= 5 v,
I
D
= 8.2 一个
V
DS
= 5 v,
I
D
= 6.9 一个
Q2
Q1
25
21
S
动态 特性
C
iss
输入 电容
Q2
Q1
570
600
pF
C
oss
输出 电容
Q2
Q1
180
150
pF
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= 15 v,
V
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
Q2
Q1
70
70
pF
R
G
门 阻抗
Q2
Q1
2.8
2.2
4.9
3.8
Ω
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
Q2
Q1
10
9
19
18
ns
t
r
转变-在 上升 时间
Q2
Q1
5
4
10
8
ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
Q2
Q1
26
23
42
32
ns
t
f
转变-止 下降 时间
V
DD
= 15 v,
I
D
= 1 一个,
V
GS
= 10v, r
GEN
= 6
Ω
Q2
Q1
3
3
6
6
ns
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
Q2
Q1
11
10
20
19
ns
t
r
转变-在 上升 时间
Q2
Q1
15
9
27
18
ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
Q2
Q1
16
14
29
25
ns
t
f
转变-止 下降 时间
V
DD
= 15 v,
I
D
= 1 一个,
V
GS
= 4.5 v, r
GEN
= 6
Ω
Q2
Q1
6
4
12
8
ns
FDS6900
一个
S
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