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资料编号:323724
 
资料名称:FDS8926A
 
文件大小: 201.29K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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FDS8926Arev.b
0 5 10 15 20 25
0
1
2
3
4
5
q , 门 承担 (nc)
v , 门-源 电压 (v)
g
GS
i = 5.5a
D
10V
15V
v = 5v
DS
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 30 50
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
50
v , drai n-源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
DS
D
rds(在) 限制
v = 4.5v
单独的 脉冲波
r =135 °c/w
t = 25°c
GS
一个
θ
JA
直流
1s
10ms
100ms
10s
1ms
100us
0.01 0.1 0.5 1 10 50 100 300
0
5
10
15
20
25
30
单独的 脉冲波 时间 (秒)
电源 (w)
单独的 脉冲波
r =135° c/w
t = 25°c
θ
JA
一个
图示 10.单独的 脉冲波 最大 电源
消耗.
0.1 0.4 1 2 5 10 30
30
80
200
500
1000
3000
v , 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
DS
C
iss
f = 1 mhz
v = 0v
GS
C
oss
C
rss
图示 8.电容 特性.
图示 7. 门 承担 特性.
图示 9.最大 safe 运行 范围
.
典型 电的 和 热的 特性
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
t , 时间 (秒)
瞬时 热的 阻抗
r(t), normalized 有效的
1
单独的 脉冲波
d = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
职责 循环, d = t /t
1 2
r (t) = r(t) * r
r =135 °c/w
θ
JA
θ
JA
θ
JA
t - t = p * r (t)
θ
JA
一个
J
p(pk)
t
1
t
2
图示 11. 瞬时 热的 回馈 曲线.
热的 描绘 执行 使用 这 情况 描述 在 note 1c.
瞬时 热的 回馈 将 改变 取决于 在 这 电路 板 设计.
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