首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:323751
 
资料名称:FDS7066N3
 
文件大小: 192.85K
   
说明
 
介绍:
30V N-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号FDS7066N3的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号FDS7066N3的Datasheet PDF文件第2页
2

3
浏览型号FDS7066N3的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号FDS7066N3的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号FDS7066N3的Datasheet PDF文件第6页
6
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
fds7066n3 rev b1 (w)
典型 特性
0
10
20
30
40
50
60
0 0.25 0.5 0.75 1 1.25
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
= 10v
2.5v
3.0v
4.5v
3.5v
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0 102030405060
I
D
, dirain 电流 (一个)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
V
GS
= 3.0v
10V
3.5v
4.0v
4.5v
6.0v
图示 1. 在-区域 特性. Figure 2. 在-阻抗 变化 和
流 电流 和 门 电压.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
I
D
= 23a
V
GS
= 10v
0
0.002
0.004
0.006
0.008
0.01
0.012
0.014
246810
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
R
ds(在)
, 在-阻抗 (ohm)
I
D
= 11.5a
T
一个
= 125
o
C
T
一个
= 25
o
C
图示 3. 在-阻抗 变化
withtemperature.
图示 4. 在-阻抗 变化 和
门-至-源 电压.
0
10
20
30
40
50
60
1.5 2 2.5 3
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
T
一个
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
= 5.0v
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
V
SD
,
身体 二极管 向前 电压 (v)
I
S
, 反转 流 电流 (一个)
V
GS
= 0v
T
一个
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
图示 5. 转移 特性. 图示6. 身体 二极管 向前 电压 变化
和 源 电流 和 温度.
FDS7066N3
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com