fds6670as rev 一个 (x)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
drain–source 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= 1 毫安 30 V
∆
BV
DSS
∆
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
= 1 毫安, 关联 至 25
°
C
31
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 24 v, V
GS
= 0 v 500
µ
一个
I
GSS
gate–body 泄漏
V
GS
=
±
20 v, V
DS
= 0 v
±
100
nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= 1 毫安 1 1.7 3 V
∆
V
gs(th)
∆
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= 1 毫安, 关联 至 25
°
C
–3.3
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 drain–source
On–Resistance
V
GS
= 10 v, I
D
= 13.5 一个
V
GS
= 4.5 v, I
D
= 11.2 一个
V
GS
=10 v, i
D
=13.5a, t
J
=125
°
C
7.5
9
10
9
11.5
12.5
m
Ω
I
d(在)
on–state 流 电流 V
GS
= 10 v, V
DS
= 5 v 50 一个
g
FS
向前 跨导V
DS
= 10 v, I
D
= 13.5 一个 66 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 1540 pf
C
oss
输出 电容 440 pf
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= 15 v, V
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
160 pF
门 阻抗 V
GS
= 15 mv, f = 1.0 mhz 2.1
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
turn–on 延迟 时间 10 20 ns
t
r
turn–on 上升 时间 5 10 ns
t
d
(
止
) turn–off 延迟 时间 27 44 ns
t
f
turn–off 下降 时间
V
DS
= 15 v, I
D
= 1 一个,
V
GS
= 10 v, R
GEN
= 6
Ω
18 32 ns
t
d(在)
turn–on 延迟 时间 13 23 ns
t
r
turn–on 上升 时间 15 27 ns
t
d
(
止
) turn–off 延迟 时间 24 38 ns
t
f
turn–off 下降 时间
V
DS
= 15 v, I
D
= 1 一个,
V
GS
= 4.5 v, R
GEN
= 6
Ω
13 23 ns
Q
g(tot)
总的 门 承担 在 vgs=10v 27 38 nC
Q
g
总的 门 承担 在 vgs=5v 16 22 nC
Q
gs
gate–source 承担 4.2 nc
Q
gd
gate–drain 承担
V
DD
= 15 v, i
D
= 13.5 一个,
5.1 nc
FDS6670一个S
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