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fds6676as rev. 一个 (x)
fds6676as 30v n-频道 powertrench
®
SyncFET™
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
drain–source 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= 1 毫安 30 V
∆
BV
DSS
∆
T
J
损坏 电压 温度
Coefficient
I
D
= 1 毫安, 关联 至 25
°
C28mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 24 v, v
GS
= 0 v 500
µ
一个
I
GSS
gate–body 泄漏 V
GS
=
±
20 v, v
DS
= 0 v
±
100 nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= 1 毫安 1 1.5 3 V
∆
V
gs(th)
∆
T
J
门 门槛 电压
温度 coefficient
I
D
= 1 毫安, 关联 至 25
°
C –3.3 mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 drain–source
On–Resistance
V
GS
= 10 v, i
D
= 14.5 一个
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 13.2 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 14.5a, t
J
= 125
°
C
4.9
5.9
6.7
6.0
7.25
8.5
m
Ω
I
d(在)
on–state 流 电流 V
GS
= 10 v, v
DS
= 5 v 50 一个
g
FS
Forward 跨导 V
DS
= 10 v, i
D
= 14.5 一个 66 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 V
DS
= 15 v, v
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
2510 pF
C
oss
输出 电容 710 pF
C
rss
反转 转移 电容 270 pF
R
G
门 阻抗 V
GS
= 15 mv, f = 1.0 mhz 1.6
Ω
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
Tur n–on 延迟 时间 V
DD
= 15 v, i
D
= 1 一个,
V
GS
= 10 v, r
GEN
= 6
Ω
10 20 ns
t
r
Tur n–on 上升 时间 12 22 ns
t
d(止)
Tur n–off 延迟 时间 43 69 ns
t
f
Tur n–off 下降 时间 29 46 ns
t
d(在)
Tur n–on 延迟 时间 V
DD
= 15 v, i
D
= 1 一个,
V
GS
= 4.5 v, r
GEN
= 6
Ω
17 31 ns
t
r
Tur n–on 上升 时间 22 35 ns
t
d(止)
Tur n–off 延迟 时间 34 54 ns
t
f
Tur n–off 下降 时间 29 46 ns
Q
g(tot)
总的 门 承担 在 vgs=10v V
DD
= 15 v, i
D
= 14.5 一个, 45 63 nC
Q
g
总的 门 承担 在 vgs=5v 25 35 nC
Q
gs
gate–source 承担 7 nC
Q
gd
gate–drain 承担 8 nC
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