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资料编号:323775
 
资料名称:FDS4435BZ
 
文件大小: 94.81K
   
说明
 
介绍:
30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
fds4435bz rev b (w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
drain–source 损坏
电压
V
GS
D
= –250
µ
一个
–30 V
BV
DSS
T
J
损坏 电压 温度
I
D
= –250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
–24
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= –24 v, V
GS
µ
一个
I
GSS
gate–body 泄漏 V
GS
= ±25 v, V
DS
= 0 v ±10
µ
一个
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= –250
µ
一个
–1 –1.9 –3 V
V
gs(th)
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= –250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
5
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 drain–source
On–Resistance
V
GS
= –10 v, I
D
V
GS
= –4.5 v, i
D
V
GS
= –10 v, i
D
= –8.8 一个,t
J
=125
°
C
16
25
23
20
35
29
m
g
FS
向前 跨导
V
DS
= –5 v, i
D
= –8.8 一个
24 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 1365 pf
C
oss
输出 电容 240 pf
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= –15 v, v
GS
f = 1.0 mhz
200 pF
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
turn–on 延迟 时间 12 23 ns
t
r
turn–on 上升 时间 13 24 ns
t
d(止)
turn–off 延迟 时间 68 109 ns
t
f
turn–off 下降 时间
V
DD
D
V
GS
= –10 v, r
GEN
= 6
38 61 ns
Q
g(tot)
总的 门 承担, v
GS
= 10v 29.0 41 nC
Q
g(tot)
总的 门 承担, v
GS
= 5v 16.5 23 nC
Q
gs
gate–source 承担 4.4 nC
Q
gd
gate–drain 承担
V
DS
= –15 v, I
D
7.3 nC
drain–source 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 drain–source 二极管 向前 电流 –2.1 一个
V
SD
drain–source 二极管 向前
电压
V
GS
= 0 v, I
S
= –2.1 一个
(便条 2)
–0.76 –1.2 v
t
RR
反转 恢复 时间 24 ns
Q
RR
反转 恢复 承担
I
F
= –8.8 一个,
dI
F
(便条 2)
9 nc
注释:
1.
R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这 所以lder 挂载 表面 的
这 流 管脚. r
θ
JC
是 有保证的 用 设计 当 r
θ
CA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
一个) 50°c/w (10 秒)
62.5°c/w 稳步的 状态
当 挂载 在 一个
1in
2
垫子 的 2 oz
b) 105°c/w 当
挂载 在 一个 .04 在
2
垫子 的 2 oz 铜
c) 125°c/w 当 挂载 在 一个
最小 垫子.
规模 1 : 1 在 letter 大小 paper
2.
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s, 职责 循环 < 2.0%
3.
这 二极管 连接 在 这 门 和 源 serves 仅有的 作 保护 相反 静电释放. 非 门 超(电)压 比率 是 暗指.
FDS4435BZ
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