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资料编号:323777
 
资料名称:FDS6679
 
文件大小: 69.08K
   
说明
 
介绍:
30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


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fds6679 rev C(w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
Symbol 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
源 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
=250
µ
一个 –30 V
BV DSS
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
=250
µ
一个,关联 至 25
°
C –23 mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
=24 v, V
GS
= 0 v –1
µ
一个
I
GSSF
身体 泄漏, 向前 V
GS
=25 v, V
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
身体 leakage, 反转 V
GS
=25 v, V
DS
= 0 v –100 nA
在 特性 (便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
=250
µ
一个 –1 1.6 –3 V
V gs(th)
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
=250
µ
一个,关联 至 25
°
C
5 mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 流
阻抗
V
GS
=10 v, I
D
=13 一个
V
GS
=4.5 v, I
D
=11 一个
V
GS
=10 v, i
D
=13 一个, t
J
=125
°
C
7.3
10
9.5
9
13
13
m
I
d(在)
状态 流 电流 V
GS
=10 v, V
DS
=5 v –50 一个
g
FS
向前 跨导 V
DS
=5 v, I
D
=13 一个 44 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 3939 pF
C
oss
输出 电容 972 pF
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
=15 v, V
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
498 pF
切换 特性 (便条 2)
t
d(在)
转变在 delay 时间 19 34 ns
t
r
转变在 上升 时间 10 20 ns
t
d(止)
转变止 延迟 时间 110 176 ns
t
f
转变止 下降 时间
V
DD
=15 v, I
D
=1 一个,
V
GS
=–10v, R
GEN
= 6
65 104 ns
Q
g
总的 门 承担 71 100 nC
Q
gs
源 承担 12 nC
Q
gd
流 承担
V
DS
=15 v, I
D
=13 一个,
V
GS
=10 v
15 nC
源 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 流源 二极管 向前 电流 2.1 一个
V
SD
源 二极管 向前
电压
V
GS
= 0 v, I
S
=2.1 一个 (便条2) 0.7 1.2 V
注释:
1.
R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面--情况 和 情况--包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这 焊盘 挂载 表面 的
这 流 管脚. r
θ
JC
是 有保证的 用 设计 当 r
θ
CA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
一个) 50°c/w (10 秒)
62.5°c/w 稳步的 状态
当 挂载 在 一个
1in
2
垫子 的 2 oz
b) 105°c/w 当
挂载 在 一个 .04 在
2
垫子 的 2 oz 铜
c) 125°c/w 当 挂载 在 一个
最小 垫子.
规模 1 : 1 在 letter 大小 paper
2.
脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s, 职责 cycle < 2.0%
FDS6679
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