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资料编号:323798
 
资料名称:FDT457N
 
文件大小: 94.5K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
FDT457Nrev.c
图示 10. 单独的 脉冲波 最大 电源
消耗.
图示 8.电容 特性
.
图示 7. 门 承担 特性.
图示 9.最大 safe 运行 范围.
典型 电的特性
0 2 4 6 8
0
2
4
6
8
10
q , 门 承担 (nc)
v , 门-源 电压 (v)
g
GS
v = 5v
DS
10V
i = 4a
D
15V
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50
0.01
0.05
0.1
0.5
1
5
10
20
50
v , 流-源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)
rds(在) 限制
D
一个
直流
DS
1s
100ms
10ms
1ms
10s
v = 10v
单独的 脉冲波
r = 110°c/w
t = 25°c
θ
JA
GS
一个
100µs
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
t , 时间 (秒)
瞬时 热的 阻抗
r(t), normalized 有效的
1
单独的 脉冲波
d = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
职责 循环, d = t / t
1 2
r (t) = r(t) * r
r =110 °c/w
θ
JA
θ
JA
θ
JA
t - t = p * r (t)
θ
JA
一个
J
p(pk)
t
1
t
2
2
θ
JA
一个
J
p(pk)
t
1
t
2
图示 11. 瞬时 热的 回馈 曲线.
热的 描绘 执行 使用 这 情况 描述 在 便条 1c.
瞬时 热的回馈 将 改变 取决于 在 这 电路 板 设计.
0.1 0.3 1 3 10 30
30
50
100
200
400
1000
v , 流 至 源 电压 (v)
电容 (pf)
DS
C
iss
f = 1 mhz
v = 0 v
GS
C
oss
C
rss
0.001 0.01 0.1 1 10 100 300
0
40
80
120
160
200
单独的 脉冲波 时间 (秒)
电源 (w)
单独的 脉冲波
r =110°c
t = 25°c
θ
JA
一个
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