首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:323816
 
资料名称:FDU6680
 
文件大小: 121.05K
   
说明
 
介绍:
30V N-Channel PowerTrench? MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号FDU6680的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号FDU6680的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号FDU6680的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号FDU6680的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号FDU6680的Datasheet PDF文件第6页
6
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
fdd6680/fdu6680 rev.c1(w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 avalanche 比率(便条 2)
E
流-源 avalanche 活力 单独的 脉冲波, v
DD
= 25 v, i
D
= 12a 180 mJ
I
流-源 avalanche 电流 12 一个
止 特性
BV
DSS
drain–source 损坏 电压
V
GS
= 0 v, I
D
= 250
µ
一个
30 V
BVDSS
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
= 250
µ
一个,关联 至 25
°
C
24
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= 24 v, V
GS
= 0 v 1
µ
一个
I
GSS
gate–body 泄漏
V
GS
=
±
20 v, V
DS
= 0 v
±
100
nA
在 特性 (便条 2)
V
GS(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, I
D
= 250
µ
一个
1 1.9 3 V
Vgs(th)
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= 250
µ
一个,关联 至 25
°
C
–5
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 drain–source
On–Resistance
V
GS
= 10 v, I
D
= 12 一个
V
GS
= 4.5 v, I
D
= 10 一个
V
GS
= 10 v, I
D
= 12 一个,t
J
=125
°
C
7.7
9.9
11.4
10
15
16
m
I
d(在)
on–state 流 电流 V
GS
= 10 v, V
DS
= 5 v 50 一个
g
FS
向前跨导 V
DS
= 10 v, I
D
= 12 一个 47 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 1230 pF
C
oss
输出 电容 325 pF
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= 15 v, V
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
150 pF
R
G
门 阻抗 V
GS
= 15 mv, f = 1.0 mhz 1.5
切换 特性 (便条 2)
t
d(在)
turn–on 延迟 时间 10 19 ns
t
r
turn–on 上升 时间 7 13 ns
t
d(止)
turn–off 延迟 时间 29 46 ns
t
f
turn–off 下降 时间
V
DD
= 15 v, I
D
= 1 一个,
V
GS
= 10 v, R
GEN
= 6
12 21 ns
Q
g
总的 门 承担 13 18 nC
Q
gs
gate–source 承担 3.5 nC
Q
gd
gate–drain 承担
V
DS
= 15v, I
D
= 12 一个,
V
GS
= 5 v
5.1 nC
fdd6680/fdu6680
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com