8月1997
FDV303N
数字的 场效应晶体管,N-频道
一般 描述 特性
绝对 最大 比率
T
一个
= 25
o
c 除非 其它 wise 指出
标识 参数 FDV303N 单位
V
DSS
流-源 电压, 电源 供应 电压 25 V
V
GSS
门-源 电压, v
在
8 V
I
D
流/输出 电流 - 持续的 0.68 一个
- 搏动 2
P
D
最大电源 消耗 0.35 W
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
静电释放 静电的 释放 比率 mil-标准-883d
人 身体 模型 (100pf / 1500 ohm)
6.0 kV
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 357 °c/w
fdv303n rev.d1
25 v, 0.68一个 持续的, 2一个 顶峰.
R
ds(在)
=0.45
Ω
@ v
GS
= 4.5 v
R
ds(在)
= 0.6
Ω
@ v
GS
=2.7V
.
非常 低 水平的 门 驱动 (所需的)东西 准许直接
运作 在 3v 电路. v
gs(th)
< 1.5v.
门-源 齐纳 为静电释放 强壮.
>6kv 人 身体 模型
紧凑的 工业 标准 sot-23 表面 mount
包装.
alternative 至tn0200t 和 tn0201t.
这些 n-channel增强 模式地方 效应 晶体管 是
生产 使用 仙童's 专卖的, 高 cell 密度, dmos
技术. 这个 非常 高 密度 处理 是 tailored 至 降低
在-状态 阻抗 在 低 门 驱动 情况.这个设备 是
设计 特别 为 应用 在 电池 电路 使用 也
一个 lithium 或者 三 cadmium 或者 nmh cells. 它 能 是 使用 作 一个
反相器 或者 为 高-效率 小型的 分离的 直流/直流
转换 在 紧凑的 可携带的 电子的 设备 像 cellular
phones 和 pagers. 这个 设备 有 极好的 在-状态
阻抗 甚至 在 门 驱动 电压 作 低 作2.5 伏特.
mark:303
sot-23
SuperSOT
TM
-8
soic-16
所以-8
sot-223
SuperSOT
TM
-6
D
G
S
© 1997 仙童 半导体 公司
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