8月1997
FDV304P
数字的 场效应晶体管,P-频道
一般 描述 特性
绝对 最大 比率
T
一个
= 25
o
c 除非 其它 wise 指出
标识 参数 FDV304P 单位
V
DSS
流-源 电压 -25 V
V
GSS
门-源 电压 -8 V
I
D
流电流 - 持续的 -0.46 一个
- 搏动 -1.5
P
D
最大电源 消耗 0.35 W
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
静电释放 静电的 释放 比率 mil-标准-883d
人 身体 模型 (100pf / 1500 ohm)
6.0 kV
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 357 °c/w
fdv304p rev.e
1
-25 v, -0.46一个 持续的, -1.5一个 顶峰.
R
ds(在)
=1.1
Ω
@ v
GS
= -4.5V
R
ds(在)
= 1.5
Ω
@ v
GS
= -2.7v.
非常 低 水平的 门 驱动 (所需的)东西 准许直接
运作 在 3v 电路. v
gs(th)
< 1.5v.
门-源 齐纳 为静电释放 强壮.
>6kv 人 身体 模型
紧凑的 工业 标准 sot-23 表面 mount
包装.
这个P-channel增强 模式地方 效应 晶体管 是
生产 使用 仙童's 专卖的, 高 cell 密度, dmos
技术. 这个 非常 高 密度 处理 是 tailored 至 降低
在-状态 阻抗 在 低 门 驱动 情况.这个设备 是
设计 特别 为 应用 在 电池 电源 产品
此类 作 notebook 计算机 和 cellular phones. 这个 设备
有 极好的 在-状态 阻抗 甚至 在 门 驱动 电压 作
低 作2.5 伏特.
mark:304
sot-23
SuperSOT
TM
-8
soic-16
所以-8
sot-223
SuperSOT
TM
-6
S
D
G
© 1997 仙童 半导体 公司
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