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资料编号:323871
 
资料名称:FDW258P
 
文件大小: 161.79K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
 
 


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january 2002
2002 仙童 半导体 公司
fdw258p rev d (w)
FDW258P
p-频道 1.8v 指定 powertrench

场效应晶体管
一般 描述
这个 p-频道 1.8v 指定 场效应晶体管 是 一个 坚毅的
门 版本 的 仙童 半导体’s 先进的
powertrench 处理. 它 有 被 优化 为 电源
驱动 电压 (1.8v – 8v).
产品
加载 转变
发动机 驱动
直流/直流 转换
电源 管理
特性
–9 一个, –12 v. R
ds(在)
= 11 m
@ v
GS
= –4.5 v
R
ds(在)
= 14 m
@ v
GS
= –2.5 v
R
ds(在)
= 20 m
@ v
GS
= –1.8 v
rds 比率 为 使用 和 1.8 v 逻辑
低 门 承担
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
低 profile tssop-8 包装
D
S
S
G
D
S
S
D
tssop-8
管脚 1
4
3
2
1
5
6
7
8
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 –12 V
V
GSS
门-源 电压
±
8
V
I
D
流 电流 – 持续的
(便条 1)
–9 一个
– 搏动 –50
P
D
电源 消耗
(便条 1a)
1.3 W
(便条 1b)
0.6
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
87
°
c/w
(便条 1b)
114
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
258p fdw258p 13’’ 12mm 3000 单位
FDW258P
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