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资料编号:324930
 
资料名称:FFH30US30DN
 
文件大小: 152.56K
   
说明
 
介绍:
30A, 300V Stealth Diode
 
 


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©2003 仙童 半导体 公司 ffh30us30dn rev. a1
FFH30US30DN
包装 标记 和 订货 信息
电的 特性 (每 leg)
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
止 状态 特性
在 状态 特性
动态 特性
切换 特性
热的 特性
设备 标记 设备 包装 录音带 宽度 Quantity
30US30DN FFH30US30DN 至-247 n/一个 30
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
R
instantaneous 反转 电流 V
R
= 300v T
C
= 25
°
C - - 100 µA
T
C
= 125
°
c--1ma
V
F
instantaneous 向前 电压 I
F
= 30a T
C
= 25
°
C - 0.93 1.0 V
T
C
= 125
°
c-0.80.87v
C
J
接合面 电容 V
R
= 10v, i
F
= 0a - 410 - pF
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 1a, di
F
/dt = 100a/µs, v
R
= 15v - 29 50 ns
I
F
= 30a, di
F
/dt = 100a/µs, v
R
= 15v - 32 55 ns
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 30a,
dI
F
/dt = 200a/µs,
V
R
= 195v, t
C
= 25
°
C
-46-ns
I
rm(rec)
最大 反转 恢复 电流 - 5.3 - 一个
Q
RR
反转 recovered 承担 - 140 - nC
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 30a,
dI
F
/dt = 200a/µs,
V
R
=195v,
T
C
= 125
°
C
-77-ns
S softness 因素 (t
b
/t
一个
) - 0.45 - -
I
rm(rec)
最大 反转 恢复 电流 - 9 - 一个
Q
RR
反转 recovered 承担 - 400 - nC
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 30a,
dI
F
/dt = 1000a/µs,
V
R
=195v,
T
C
= 125
°
C
-54-ns
S softness 因素 (t
b
/t
一个
) - 0.49 - -
I
rm(rec)
最大 反转 恢复 电流 - 32 - 一个
Q
RR
反转 recovered 承担 - 930 - nC
R
θ
JC
热的 阻抗 接合面 至 情况 至-247 - - 0.65
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗 接合面 至 包围的 至-247 - - 30
°
c/w
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