©2000 仙童 半导体 国际的 rev. f, 九月 2000
FFL20U120DN
典型 特性
图示 1. 典型 向前 电压 漏出
vs. 向前 电流
图示 3. 典型 接合面 电容
图示 5. 典型 反转 恢复 电流
vs. di/dt
图示 2. 典型 反转 电流
vs. 反转 电压
图示 4. 典型 反转 恢复 时间
vs. di/dt
图示 6. 向前 电流 减额 曲线
0.1
1
10
100
0123456
T
C
= 25
o
C
T
C
= 100
o
C
向前 电压 , v
F
[V]
向前 电流 , i
F
[A]
0.1 1 10 100
50
100
150
200
250
300
350
400
典型 电容
在 0v = 355 pf
电容 , cj [pf]
反转 电压 , v
R
[V]
100 500
0
5
10
15
20
25
T
C
= 100
o
C
T
C
= 25
o
C
V
R
= 200v
I
F
= 20a
反转 恢复 电流 , i
rr
[A]
di/dt [a/
µ
s]
0 200 400 600 800 1000 1200
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
C
= 25
o
C
T
C
= 100
o
C
反转 电流 , i
R
[
µ
A]
反转 电压 , v
R
[V]
100 500
40
60
80
100
120
140
T
C
= 100
o
C
T
C
= 25
o
C
V
R
= 200v
I
F
= 20a
反转 恢复 时间 , t
rr
[ns]
di/dt [a/
µ
s]
60 80 100 120 140 160
0
5
10
15
20
25
30
直流
平均 向前 电流 , i
f(av)
[A]
情况 温度 , t
C
[
o
C]
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