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资料编号:325586
 
资料名称:FGL40N120AND
 
文件大小: 492.58K
   
说明
 
介绍:
1200V NPT IGBT
 
 


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fgl40n120and rev. 一个
fgl40n120and 1200v npt igbt
典型 效能 特性
图示 1. 典型 输出 特性 图示 2. 典型 饱和 电压
特性
图示 3. 饱和 电压 vs. 情况 图示 4. 加载 电流 vs. 频率
温度 在 variant 电流 水平的
图示 5. 饱和 电压 vs. v
GE
图示 6. 饱和 电压 vs. v
GE
0246810
0
50
100
150
200
250
300
20V
17V
15V
12V
V
GE
=10V
T
C
= 25
°
C
集电级 电流, i
C
[A]
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
0246
0
30
60
90
120
150
一般 发射级
V
GE
= 15v
T
C
= 25
°
C
T
C
= 125
°
C
集电级 电流, i
C
[A]
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
25 50 75 100 125
1
2
3
4
5
80A
一般 发射级
V
GE
= 15v
40A
I
C
= 20a
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
情况 温度, t
C
[
°
C]
0.1 1 10 100 1000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
CC
= 600v
加载 电流 : 顶峰 的 正方形的 波
职责 循环 : 50%
T
C
= 100
°
C
电源 消耗 = 100w
加载 电流 [a]
频率 [khz]
0 4 8 12 16 20
0
4
8
12
16
20
80A
40A
一般 发射级
T
C
= 125
°
C
I
C
= 20a
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
门-发射级 电压, v
GE
[V]
0 4 8 12 16 20
0
4
8
12
16
20
80A
40A
一般 发射级
T
C
= 25
°
C
I
C
= 20a
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
门-发射级 电压, v
GE
[V]
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