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资料编号:326342
 
资料名称:SFH420
 
文件大小: 48.7K
   
说明
 
介绍:
GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehause GaAs Infrared Emitter in SMT Package
 
 


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sfh 420
sfh 425
半导体 组 4 1997-11-01
gruppierung der strahlstärke
I
e
在 achsrichtung
gemessen bei einem raumwinkel
= 0.01 sr
grouping 在 radiant 强烈
I
e
在 轴的 方向
在 一个 固体的 角度 的
= 0.01 sr
Bezeichnung
描述
标识 Werte
Einheit
单位
Strahlstärke
radiant 强烈
I
F
= 100 毫安,
t
p
= 20 ms
I
e
> 2.5 mw/sr
Strahlstärke
radiant 强烈
I
F
= 1 一个,
t
p
= 100
µ
s
I
e 典型值
38 mw/sr
相关的 谱的 emission
I
rel
=
f
(
λ
)
向前 电流
I
F
=
f
(
V
F
), 单独的 脉冲波,
t
p
= 20
µ
s
OHR01938
λ
rel
Ι
0
880 920 960 1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
OHR01554
V
F
-3
10
10
-2
10
-1
10
0
10
1
F
Ι
一个
1 2 3 4 V 5
radiant 强烈
单独的 脉冲波,
t
p
= 20
µ
s
I
e
I
e
100 毫安
=
f
(
I
F
)
OHR01551
10
-3
Ι
F
-2
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
Ι
e 100 毫安
e
Ι
-2
10
-1
10
0
10
1
10A
一个
最大值 容许的 向前 电流
I
F
=
f
(
T
一个
)
OHR00883
0
F
Ι
0
20
40
60
80
100
120
20 40 60 80 100 120
毫安
˚C
T
一个
= 450 k/w
thjA
R
辐射 特性
S
rel
=
f
(
ϕ
)
0
0.2
0.4
1.0
0.8
0.6
ϕ
1.0 0.8 0.6 0.4
0˚10˚20˚40˚ 30˚
OHL01660
50˚
60˚
70˚
80˚
90˚
100˚
20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚
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