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资料编号:326360
 
资料名称:SFH480-2
 
文件大小: 66.57K
   
说明
 
介绍:
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters 880 nm
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
sfh 480,
sfh 481, sfh 482
半导体 组 5 1998-04-16
gruppierung der strahlstärke
I
e
在 achsrichtung
gemessen bei einem raumwinkel
= 0.01 sr
grouping 的 radiant 强烈
I
e
在 轴的 方向
在 一个 固体的 角度 的
= 0.01 sr
1)
消逝 messung der strahlstärke und des halbwinkels erfolgt mit einer lochblende vor dem bauteil
(durchmesser der lochblende: 2.0 mm; abstand lochblende zu gehäuserückseite: 5.4 mm). dadurch wird
sichergestellt, da
β
bei der strahlstärkemessung nur diejenige strahlung 在 achsrichtung bewertet wird, 消逝
direkt von der chipoberfläche austritt. von der bodenplatte reflektierte strahlung (vagabundierende strahlung)
wird dagegen nicht bewertet. diese reflexionen sind besonders bei abbildungen der chipoberfläche über
zusatzoptiken störend (z.b. lichtschranken gro
β
er reichweite). 在 der anwendung werden im allgemeinen
β
verfahren ergibt sich für den anwender eine besser verwertbare grö
β
e. diese lochblendenmessung ist
gekennzeichnet durch den eintrag “e 7800”, der 一个 消逝 typenbezeichnung angehängt ist.
1)
一个 aperture 是 使用 在 front 的 这 组件 为 度量 的 这 radiant 强烈 和 这 half 角度
(直径 的 这 aperture: 1.1 mm; 距离 的 aperture 至 情况 后面的 side: 4 mm). 这个 确保 那 solely 这
辐射 在 轴的 方向 发出 直接地 从 这 碎片 表面 将 是 evaluated 在 度量 的 这
radiant 强烈. 辐射 反映 用 这 bottom 加设护板 (偏离 辐射) 将 不 是 evaluated. 这些
reflections impair 这 projection 的 这 碎片 表面 用 额外的 optics (e.g. 长-范围 明亮的 reflection
switches). 在 遵守 的 这 应用 的 这 组件, 这些 reflections 是 一般地 suppressed 用
apertures 作 好. 这个 测量 程序 相应的 和 这 应用 提供 更多 有用的 值.
这个 aperture 度量 是 denoted 用 “e 7800” 增加 至 这 类型 designation.
Bezeichnung
描述
标识
标识
Wert
Einheit
单位
SFH
480-2
SFH
480-3
SFH
481
SFH
481-1
SFH
481-2
Strahlstärke
radiant 强烈
I
F
= 100 毫安,
t
p
= 20 ms
I
e 最小值
I
e 最大值
40
63
10
10
20
16
mw/sr
mw/sr
Strahlstärke
radiant 强烈
I
F
= 1 一个,
t
p
= 100
µ
s
I
e 典型值
540 630 220 130 220 mw/sr
Bezeichnung
描述
标识
标识
Wert
Einheit
单位
SFH
482
SFH
482-1
SFH
482-2
SFH
482-3
SFH
482-m
e 7800
1)
Strahlstärke
radiant 强烈
I
F
= 100 毫安,
t
p
= 20 ms
I
e 最小值
I
e 最大值
3.15
3.15
6.3
5
10
8
1.6 ... 3.2
mw/sr
mw/sr
Strahlstärke
radiant 强烈
I
F
= 1 一个,
t
p
= 100
µ
s
I
e 典型值
40 65 80 mw/sr
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