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sfh 487 p
半导体 组 5 1997-11-01
相关的 谱的 emission
I
rel
=
f
(
λ
)
向前 电流,
I
F
=
f
(
V
F
)
单独的 脉冲波,
t
p
= 20
µ
s
0
750
Ι
rel
OHR00877
800 850 900 950 nm 1000
20
40
60
80
%
100
λ
10
OHR00881
F
V
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0123456V8
一个
Ι
F
radiant 强烈
单独的 脉冲波,
t
p
= 20
µ
s
容许的 脉冲波 处理 能力
I
F
=
f
(
τ
),
T
一个
= 25
o
c,
职责 循环
D
= 参数
I
e
I
e
100 毫安
=
f
(
I
F
)
10
OHR00878
Ι
e
F
Ι
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10 10
1
10
2
10
4
毫安
e
Ι
(100ma)
3
10
10
Ι
F
OHR00886
1
2
10
3
10
4
10
毫安
-5
10 s
=
D
F
Ι
T
直流
0.005=
D
p
t
T
t
p
p
t
0.5
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
最大值 容许的 向前 电流
I
F
=
f
(
T
一个
)
向前 电流 相比 含铅的 长度
在 这 包装 bottom 和 这
pc-板
I
F
=
f
(
I
),
T
一个
= 25
o
C
T
OHR00880
0
F
Ι
0 20 40 60 80 100
˚C
毫安
25
50
75
100
125
OHR00949
F
Ι
0
0 5 10 15 20 25 mm 30
20
40
60
80
100
毫安
120

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sfh 487 p 半导体组 5 1997-11-01 相关的谱的 emission I rel = f ( λ ) 向前电流, I F = f ( V F ) 单独的脉冲波, t p = 20 µ s 0 750 Ι rel OHR00877 800 850 900 950 nm 1000 20 40 60 80 % 100 λ 10 OHR00881 F V -3 -2 10 -1 10 0 10 1 10 0123456V8 一个 Ι F radiant 强烈单独的脉冲波, t p = 20 µ s 容许的脉冲波处理能力 I F = f ( τ ), T 一个 = 25 o c, 职责循环 D = 参数 I e I e 100 毫安 = f ( I F ) 10 OHR00878 Ι e F Ι -3 -2 10 -1 10 0 10 1 10 2 10 0 10 10 1 10 2 10 4 毫安 e Ι (100ma) 3 10 10 Ι F OHR00886 1 2 10 3 10 4 10 毫安 -5 10 s = D F Ι T 直流 0.005= D p t T t p p t 0.5 0.2 0.1 0.01 0.02 0.05 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 2 最大值容许的向前电流 I F = f ( T 一个 ) 向前电流相比含铅的长度在这包装 bottom 和这 pc-板 I F = f ( I ), T 一个 = 25 o C T OHR00880 0 F Ι 0 20 40 60 80 100 ˚C 毫安 25 50 75 100 125 OHR00949 F Ι 0 0 5 10 15 20 25 mm 30 20 40 60 80 100 毫安 120

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