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文档 号码 83668
rev. 1.4, 27-apr-04
VISHAY
sfh6135/ sfh6136
vishay 半导体
输出
Coupler
电的 特性
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
最小 和 最大 值 是 测试 (所需的)东西. 典型 values 是 特性 的 这设备 和 是 这 结果 的 engineering
evaluation. 典型 值 是 为 信息 仅有的 和 是 不 部分 的 这 测试 (所需的)东西.
输入
参数 测试 情况 标识 Value 单位
供应 电压 V
S
- 0.5 至 30 V
输出 电压 V
O
- 0.5 至 25 V
发射级-根基 电压 V
EBO
5.0 V
输出 电流 I
O
8.0 毫安
最大 输出 电流 I
O
16 毫安
根基 电流 I
B
5.0 毫安
热的 阻抗 R
thja
300 k/w
电源 消耗 T
amb
= 70 °C P
diss
100 mW
参数 测试 情况 标识 Value 单位
分开 测试 电压 V
ISO
5300 V
RMS
pollution 程度 (din vde
0110)
2
Creepage
≥
7.0 mm
Clearance
≥
7.0 mm
comparative 追踪 index 每
din iec 112/vde 0303 部分 1
175
分开 阻抗 V
IO
= 500 v, t
amb
= 25 °C R
IO
≥
10
12
Ω
V
IO
= 500 v, t
amb
= 100 °C R
IO
≥
10
11
Ω
存储 温度 范围 T
stg
- 55 至 + 125 °C
包围的 温度 范围 T
amb
- 55 至 + 100 °C
焊接 温度 最大值
≤
10 s, 插件 焊接
≥
0.5 mm 距离 从 情况
bottom
T
sld
260 °C
参数 测试 情况 标识 最小值 Ty p. 最大值 单位
向前 电压 I
F
= 16 毫安 V
F
1.6 1.9 V
损坏 电压 I
R
= 10
µ
AV
BR
3.0 V
反转 电流 V
R
= 3.0 v I
R
0.5 10
µ
一个
电容 V
R
= 0 v, f = 1.0 mhz C
O
125 pF
温度 系数 的
向前 电压
I
F
= 16 毫安
∆
V
F
/
∆
T
amb
1.7 mv/°c
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