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文档 号码 83664
rev. 1.4, 26-oct-04
SFH608
vishay 半导体
绝对 最大 比率
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
压力 在 excess 的 这 绝对 最大 比率 能 cause 永久的 损坏 至 这 设备. functional 运作 的 这 设备是
不 暗指 在 这些 或者 任何 其它 情况在 excess 的 那些 给 在 这 operational sections 的 这个文档. 暴露 至绝对
最大 比率 为 扩展 时期 的 这时间 能 反而 影响 可靠性.
输入
输出
Coupler
参数 测试 情况 标识 Value 单位
反转 电压 V
R
6.0 V
直流 向前 电流 I
F
50 毫安
surge 向前 电流 t
≤
10
µ
sI
FSM
2.5 一个
总的 电源 消耗 P
diss
70 mW
参数 测试 情况 标识 Value 单位
集电级-发射级 电压 V
CE
55 V
集电级-根基 电压 V
CBO
55 V
发射级-根基 电压 V
EBO
7.0 V
集电级 电流 I
C
50 毫安
surge 集电级 电流 tp
≤
1.0 ms 100 毫安
总的 电源 消耗 P
diss
150 mW
参数 测试 情况 标识 Value 单位
分开 测试 电压 (在
发射级 和 探测器, 谈及 至
climate din 40046 部分 2
十一月 74)
t = 1.0 s V
ISO
5300 V
RMS
Creepage
≥
7.0 mm
Clearance
≥
7.0 mm
comparative 追踪 index 每
din iec 112/vde 0303, 部分 1
175
分开 阻抗 V
IO
= 500 v, t
amb
= 25 °C R
IO
≥
10
12
Ω
V
IO
= 500 v, t
amb
= 100 °C R
IO
≥
10
11
Ω
存储 温度 范围 T
stg
- 55 至 + 150 °C
运行 温度 范围 T
amb
- 55 至 + 100 °C
焊接 温度 最大值 10 s, 插件 焊接:
距离 至 seating 平面
≥
1.5 mm
T
sld
260 °C
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