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IRFIZ24N
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
0
100
200
300
400
500
600
700
1 10 100
C, c一个pacitance (pf)
DS
V, drain-至-所以urce voltage (v)
一个
V=0V ,f =1MH z
C=C+C,CSH或者TED
C=C
C=C+C
GS
iss         gs         gd         ds
rss         gd
oss        ds         gd
C
是s
C
oss
C
rss
1
10
100
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
t  =25°C
J
V =0V
GS
V, 所以urce-至-drain voltage (v)
i     , reverseDrain current (一个)
SD
SD
一个
t  =175°C
J
1
10
100
1000
1 10 100
V, dra在-至-所以urce voltage (v)
DS
i   , drain current (一个)
运算E R一个TIO N在TH是一个 RE 一个LIMITE D
BY R
D
ds(在)
10µs
100µs
1ms
10ms
一个
T=25°C
T=175°C
单独的 脉冲波
C
J
0
4
8
12
16
20
0 4 8 12 16 20
Q, 总的 gate 承担 (nc)
G
V , g ate-至-source v oltage(v )
GS
一个
为 测试 电路
SEE 图URE13
V=44V
V=28V
I=10A
DS
DS
D

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IRFIZ24N 图 6. 典型门承担 vs. 门-至-源电压图 8. 最大 safe 运行范围图 5. 典型电容 vs. 流-至-源电压图 7. 典型源-流二极管向前电压 0 100 200 300 400 500 600 700 1 10 100 C, c一个pacitance (pf) DS V, drain-至-所以urce voltage (v) 一个 V=0V ,f =1MH z C=C+C,CSH或者TED C=C C=C+C GS iss gs gd ds rss gd oss ds gd C 是s C oss C rss 1 10 100 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 t =25°C J V =0V GS V, 所以urce-至-drain voltage (v) i , reverseDrain current (一个) SD SD 一个 t =175°C J 1 10 100 1000 1 10 100 V, dra在-至-所以urce voltage (v) DS i , drain current (一个) 运算E R一个TIO N在TH是一个 RE 一个LIMITE D BY R D ds(在) 10µs 100µs 1ms 10ms 一个 T=25°C T=175°C 单独的脉冲波 C J 0 4 8 12 16 20 0 4 8 12 16 20 Q, 总的 gate 承担 (nc) G V , g ate-至-source v oltage(v ) GS 一个为测试电路 SEE 图URE13 V=44V V=28V I=10A DS DS D

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