©2002 仙童 半导体 公司
FJAF4310
rev. 一个, 十一月 2002
典型 特性
图示 1. 静态的 characterstic 图示 2. 直流 电流 增益
图示 3. v
CE
(sat) vs. i
B
特性 图示 4. 集电级-发射级 饱和 电压
图示 5. 根基-发射级 在 电压 图示 6. 向前 偏差 safe 运行 范围
01234
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
B
= 400ma
I
B
= 300ma
I
B
= 20ma
I
B
= 250ma
I
B
= 200ma
I
B
= 150ma
I
B
= 100ma
I
B
= 50ma
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
0.1 1 10
10
100
1000
V
CE
= 4 v
ta = 25
o
C
ta = 125
o
C
ta = - 25
o
C
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[a], 集电级 电流
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I
C
= - 10a
I
C
= - 5a
V
CE
(sat) [v], 饱和 电压
I
B
[a], 根基 电流
0.01 0.1 1 10
0.01
0.1
1
I
C
= 10 i
B
ta = 25
o
C
ta = 125
o
C
ta = - 25
o
C
V
CE
(sat) [v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
0.0 0.5 1.0 1.5
0
2
4
6
8
10
V
CE
= 4 v
ta = 25
o
C
ta = 125
o
C
ta = - 25
o
C
I
C
[a], 集电级 电流
V
是
[v], 根基-发射级 在 电压
0.1 1 10 100
0.1
1
10
t=100ms
t=10ms
T
C
=25
℃
℃℃
℃
单独的 脉冲波
I
C
(直流)
I
C
(脉冲波)
ic [a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
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