©2003 仙童 半导体 公司 rev. b, march 2003
FJL4315
npn 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
电的 特性
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
* 脉冲波 测试 : pw=20us
h
FE
分类
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压 230 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 230 V
V
EBO
发射级-根基 电压 5 V
I
C
集电级 电流(直流) 15 一个
I
B
根基 电流 1.5 一个
P
C
集电级 消耗 (t
C
=25
°
c) 150 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 50 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CBO
集电级-根基 损坏 电压 I
C
=5ma, i
E
=0 230 V
BV
CEO
集电级-发射级 损坏 电压 I
C
=10ma, r
是
=
∞
230 V
BV
EBO
发射级-根基 损坏 电压 I
E
=5ma, i
C
=0 5 V
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
=230v, i
E
=0 5.0 uA
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
=5v, i
C
=0 5.0 uA
h
FE1
* 直流 电流 增益 V
CE
=5v, i
C
=1A 55 160
h
FE2
直流 电流 增益 V
CE
=5v, i
C
=7A 35 60
V
CE
(sat) 集电级-发射级 饱和 电压 I
C
=8a, i
B
=0.8a 0.4 3.0 V
V
是
(在) 根基-发射级 在 电压 V
CE
=5v, i
C
=7A 1.0 1.5 V
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
=5v, i
C
=1A 30 MHz
C
ob
输出 电容 V
CB
=10v, f=1mhz 200 pF
分类 R O
h
FE1
55 ~ 110 80 ~ 160
FJL4315
音频的 电源 放大器
• 高 电流 能力 : i
C
=15A
• 高 电源 消耗
•wide s.o.一个
• complement 至 fjl4215
1.根基 2.集电级 3.发射级
1
至-264
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