©2003 仙童 半导体 公司
FJP5027
rev. 一个, 12月 2003
典型 特性
图示 1. 静态的 典型的 图示 2. 直流 电流 增益
图示 3. 根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
图示 4. 根基-发射级 在 电压
图示 5. 切换 时间 图示 6. safe 运行 范围
012345678
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
I
B
= 350ma
I
B
= 150ma
I
B
= 100ma
I
B
= 50ma
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
0.01 0.1 1 10
1
10
100
V
CE
= 5 v
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= - 25
o
C
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[a], 集电级 电流
0.1 1 10
0.01
0.1
1
10
100
T
C
= 125
o
C
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
I
C
= 5 i
B
T
C
= - 25
o
C
V
CE
(sat) [v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
0.1 1 10
0.1
1
10
T
C
= 75
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= - 25
o
C
T
C
= 125
o
C
I
C
= 5 i
B
V
是
(sat) [v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
10 100 1000
1
10
I
B1
=3a, r
B2
=0
l=1mh, v
CC
=20V
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
1 10 100 1000 10000
1e-3
0.01
0.1
1
10
100
100
µ
s
1ms
10ms
直流
I
C
最大值.(脉冲波)
I
C
最大值(持续的)
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
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