©2004 仙童 半导体 公司 rev. 一个, april 2004
FKPF5N80
典型 曲线
(持续)
图示 13. breakover 电压 vs.
接合面 温度
图示 14. 门 触发 电流 vs.
门 电流 脉冲波 宽度
图示 15. breakover 电压 vs.
比率 的 上升 的 止-状态 电压
图示 16. commutation 特性
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
0
20
40
60
80
100
120
140
160
normalized 损坏 电压 [%]
接合面 温度 [
o
C]
1 10 100
10
100
1000
I
Ⅲ
I
Ⅱ
I
Ⅰ
normalized 门 触发 电流 [%]
门 电流 脉冲波 宽度 [
µ
s]
10
1
10
2
10
3
10
4
0
20
40
60
80
100
120
140
160
典型 例子
Tj=125
o
C
QUADRANT
Ⅲ
QUADRANT
Ⅰ
比率 的 上升 的 止-状态 电压 [v/
µ
s]
1 10 100
1
10
100
QUADRANT
Ⅲ
QUADRANT
Ⅰ
典型
例子
T
j
=125
o
C
I
T
=4A
τ
= 500us
V
D
=200V
F=3Hz
核心的 比率 的 上升 的 止-状态
commutation 电压 [v/us]
比率 的 decay 的 在-状态
commutation 电流 [a/ms]
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