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资料编号:328645
 
资料名称:FL10KM-12
 
文件大小: 47.95K
   
说明
 
介绍:
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
 
 


: 点此下载
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初步的
注意: 这个 是 不 一个 最终 规格.
一些 参数 限制 是 主题 至 改变.
sep.1998
mitsubishi nch 电源 场效应晶体管
fl10km-12a
高-速 切换 使用
在-状态 电压 vs.
门-源 电压
(典型)
门-源 电压 v
GS
(v)
流-源 在-状态
电压 v
ds (在)
(v)
在-状态 阻抗 vs.
流 电流
(典型)
流 电流 i
D
(一个)
流-源 在-状态
阻抗 r
ds (在)
(
)
转移 特性
(典型)
门-源 电压 v
GS
(v)
流 电流 i
D
(一个)
向前 转移 admittance
vs. 流 电流
(典型)
流 电流 i
D
(一个)
向前 转移
ADMITTANCE
y
fs
(s)
切换 特性
(典型)
流-源 电压 v
DS
(v)
电容 vs.
流-源 电压
(典型)
流 电流 i
D
(一个)
电容
ciss, coss, crss (pf)
切换 时间 (ns)
0
8
16
24
32
40
0 4 8 12 16 20
5A
T
C
= 25°c
脉冲波 测试
10A
I
D
= 15a
1
0
2
3
4
5
10
0
10
1
23 57
10
2
23 57
T
C
= 25°c
脉冲波 测试
V
GS
= 10v
4
0
8
12
16
20
40 8 12 16 20
T
C
= 25°c
V
DS
= 50v
脉冲波 测试
10
–1
10
0
23 57
10
1
23 57
10
–1
10
0
2
3
5
7
10
1
2
3
5
7
V
DS
= 10v
脉冲波 测试
T
C
= 25°c
125°C
75°C
10
0
23 57
10
1
22357
10
1
10
2
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
T
C
h = 25°c
V
DD
= 200v
V
GS
= 10v
t
d(止)
t
d(在)
t
f
t
r
10
2
3
5
7
10
3
2
3
5
7
10
4
2
3
5
7
10
0
2
10
1
357357 2
10
2
357 23
10
1
2
Ciss
Coss
Crss
T
C
h = 25°c
f = 1mh
Z
V
GS
= 0v
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