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fujitsu 复合 半导体, 公司
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© 1998 fujitsu 复合 半导体, 公司
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fujitsu 复合 半导体 产品 包含
镓 砷化物
(gaas)
这个 能 是 hazardous 至 这 人 身体 和 这 环境.
为 安全, 注意到 这 下列的 程序:
提醒
•
做 不 放 这些 产品 在 这 mouth.
•
做 不 改变 这 表格 的 这个 产品 在 一个 gas, powder, 或者 liquid
通过 burning, crushing, 或者 化学的 处理 作 这些 用-产品
是 有危险的 至 这 人 身体 如果 inhaled, ingested, 或者 swallowed.
•
注意到 政府 laws 和 公司 regulations 当 discarding 这个
产品. 这个 产品 必须 是 discarded 在 一致 和 方法
指定 用 适用 hazardous waste 程序.
fll1200iu-2
l-带宽 中等 &放大; 高 电源 gaas 场效应晶体管
情况 样式 "iu"
8.0
±
0.15
(0.315)
15.5
±
0.15
(0.610)
2.0 最小值
2.0 最小值
17.4
±
0.15
(0.685)
0.7
±
0.2
4-r1.3
12-r0.5
10.0
±
0.2
(0.393)
23.9
±
0.25
(0.941)
34.0
±
0.25
(1.339)
30.4
±
0.25
(1.181)
2.4
±
0.15
(0.094)
1.9
±
0.15
(0.075)
4.5 最大值
(0.177)
0.1
(0.004)
2.0
(0.078)
21
45
36
单位: mm (英寸)
1, 2: 门
3: 源
4, 5: 流
6: 源
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