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资料编号:329021
 
资料名称:FLU17ZM
 
文件大小: 236.84K
   
说明
 
介绍:
L-Band Medium & High Power GaAs FET
 
 


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FLU17ZM
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fujitsu 复合 半导体, 公司
2355 zanker rd.
san jose, ca 95131-1138, 美国
phone: (408) 232-9500
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www.fcsi.fujitsu.com
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fujitsu 限制 reserves 这 正确的 至 改变产品 和 specifications 没有 注意.
这 信息 做 不 convey 任何 执照下面 权利 的 fujitsu 限制 或者 其他.
2003 fujitsu 混合und 半导体, 公司
打印 在 美国 fcsi0202m200
提醒
fujitsu 复合 半导体 产品 包含
砷化物
(gaas)
这个 能 是 hazardous 至 这 人 身体 和 这
环境. 为 安全, 注意到 这 下列的 程序:
做 不 放 这些 产品 在 这 mouth.
做 不 改变 这 表格 的 这个 产品 在 一个 gas, powder, 或者 liquid
通过 burning, crushing, 或者 化学的 处理 作 这些 用-
产品 是 有危险的 至 这 人 身体 如果 inhaled, ingested, 或者
swallowed.
注意到 政府 laws 和 公司 regulations 当
discarding 这个 产品. 这个 产品 必须 是 discarded 在
一致 和 方法 指定 用 适用 hazardous waste
程序.
.
.
l-带宽 中等 &放大; 高 电源 gaas 场效应晶体管
fujitsu quantum 设备 限制
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fujitsu quantum 设备
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