FM24CL16
rev 2.2
july 2003 页 7 的 13
command 至 是 issued 和 这 从动装置 地址 设置 至 1.
这 运作 是 now 一个 电流 地址 读. 这个
运作 是 illustrated 在 图示 9.
S 一个从动装置 地址 1 数据 字节 1 P
用 主控
用 fm24cl16
开始 地址
停止
Acknowledge
非
Acknowledge
数据
图示 7. 电流 地址 读
S 一个从动装置 地址 1 数据 字节 1 P
用 主控
用 fm24cl16
开始 地址
停止
Acknowledge
非
Acknowledge
数据
数据 字节一个
Acknowledge
图示 8. sequential 读
S 一个从动装置 地址 1 数据 字节 1 P
用 主控
用 fm24cl16
开始 地址
停止
非
Acknowledge
数据
数据 字节一个
Acknowledge
S 一个从动装置 地址 0 文字 地址 一个
开始
地址
Acknowledge
图示 9. 选择性的 (随机的) 读
忍耐力
一个 典型 可擦可编程只读存储器 有 一个 写 忍耐力
规格 那 是 fixed. surpassing 这 指定
水平的 的 循环 在 一个 可擦可编程只读存储器 通常地 leads 至 一个
hard 记忆 失败. 这 24cl16 有 非 此类
限制.
产品
这 versatility 的 fram 技术 合适的 在 许多
diverse 产品. clearly 这 力量 的 高等级的
写 忍耐力 和 faster 写 制造 fram
更好的 至 可擦可编程只读存储器 在 所有 但是 一个-时间
可编程序的 产品. 这 有利因素 是 大多数
obvious 在 数据 collection 环境 在哪里 写
是 frequent 和 数据 必须 是 nonvolatile.
这 attributes 的 快 写 和 高 写 忍耐力
联合的 在 许多 革新的 方法. 一个 短的 列表 的
ideas 是 提供 here.
1.
数据 collection
. 在 产品 在哪里 数据 是
collected 和 saved, fram 提供 一个 更好的
alternative 至 其它 解决方案. 它 是 更多 费用 有效的
比 电池 backup 为 sram 和 提供 更好的
写 attributes 比 可擦可编程只读存储器.
2.
配置
. 任何 nonvolatile 记忆 能
retain 一个 配置. 不管怎样, 如果 这 配置
改变 和 电源 失败 是 一个 possibility, 这 高等级的
写 忍耐力 的 fram 准许 改变 至 是
recorded 没有 restriction. 任何 时间 这 系统
状态 是 改变, 这 改变 能 是 写. 这个 避免
writing 至 记忆 在 电源 向下 当 这 有
时间 是 短的 和 电源 scarce.
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