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资料编号:329626
 
资料名称:FM25256
 
文件大小: 120.76K
   
说明
 
介绍:
256Kb FRAM Serial 5V Memory
 
 


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FM25256
rev. 2.0
apr. 2005 页 10 的 13
交流 参数
(t
一个
= -40
°
c 至 + 85
°
c, v
DD
= 4.0v 至 5.5v, c
L
= 30pf)
标识 参数 最小值 最大值 单位 注释
f
CK
sck 时钟 频率 0 25 MHz
t
CH
时钟 高 时间 18 ns 1
t
CL
时钟 低 时间 18 ns 1
t
CSU
碎片 选择 建制 10 ns
t
CSH
碎片 选择 支撑 10 ns
t
OD
输出 使不能运转 时间 15 ns 2
t
ODV
输出 数据 有效的 时间 15 ns
t
OH
输出 支撑 时间 0 ns
t
D
deselect 时间 60 ns
t
R
数据 在 上升 时间 50 ns 1,3
t
F
数据 在 下降 时间 50 ns 1,3
t
SU
数据 建制 时间 5 ns
t
H
数据 支撑 时间 5 ns
t
HS
/支撑 建制 时间 10 ns
t
HH
/支撑 支撑 时间 10 ns
t
HZ
/支撑 低 至 hi-z 20 ns 2
t
LZ
/支撑 高 至 数据 起作用的 15 ns 2
注释
1.
t
CH
+ t
CL
= 1/f
CK
.
2.
这个 参数 是 典型 但是 不 100% 测试.
3.
上升 和 下降 时间 量过的 在 10% 和 90% 的 波形.
电源 循环 定时
(t
一个
= -40
°
c 至 + 85
°
c, v
DD
= 4.0v 至 5.5v)
标识 参数 最小值 最大值 单位 注释
t
PU
电源 向上 (v
DD
最小值) 至 第一 进入 (/cs 低) 10 - ms
t
PD
last 进入 (/cs 高) 至 电源 向下 (v
DD
最小值) 0 -
µ
s
t
VR
V
DD
上升 时间 50
µ
s/v
1,2
t
VF
V
DD
下降 时间 100 -
µ
s/v
1,2
电容
(t
一个
= 25
°
c, f=1.0 mhz, v
DD
= 5.0v)
标识 参数 最小值 最大值 单位 注释
C
O
输出 电容 (所以) - 8 pF 1
C
I
输入 电容 - 6 pF 1
注释
1.
这个 参数 是 典型 和 不 100% 测试.
2.
斜度 量过的 在 任何 要点 在 v
DD
波形.
交流 测试 情况
输入 脉冲波 水平 10% 和 90% 的 v
DD
输入 上升 和 下降 时间 5 ns
输入 和 输出 定时 水平 0.5 v
DD
输出 加载 电容 30 pf
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