©2003 仙童 半导体 公司 fmg2g150us60 rev. 一个
FMG2G150US60
电的 特性 的 igbt
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性 的 二极管
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
热的 特性
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
CES
集电级-发射级 损坏 电压 V
GE
= 0v, i
C
= 250ua 600 -- -- V
∆
B
VCES
/
∆
T
J
温度 coeff. 的 损坏
电压
V
GE
= 0v, i
C
= 1ma -- 0.6 -- v/
°
C
I
CES
集电级 截-止 电流 V
CE
= v
CES
, v
GE
= 0v -- -- 250 uA
I
GES
门 - 发射级 泄漏 电流 V
GE
= v
GES
, v
CE
= 0v -- -- ± 100 nA
在 特性
V
ge(th)
门 - 发射级 门槛 电压 I
C
= 150ma, v
CE
= v
GE
5.0 6.5 8.5 V
V
ce(sat)
集电级 至 发射级 饱和 电压 I
C
= 150a
,
V
GE
= 15v
-- 2.1 2.7 V
切换 特性
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
V
CC
= 300 v, i
C
= 150a,
R
G
= 2
Ω
, v
GE
= 15v,
inductive 加载, t
C
= 25
°
C
-- 140 -- ns
t
r
上升 时间 -- 80 -- ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 -- 120 -- ns
t
f
下降 时间 -- 130 250 ns
E
在
转变-在 切换 丧失 -- 2.3 -- mJ
E
止
转变-止 切换 丧失 -- 4.7 -- mJ
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
V
CC
= 300 v, i
C
= 150a,
R
G
= 2
Ω
, v
GE
= 15v,
inductive 加载, t
C
= 125
°
C
-- 180 -- ns
t
r
上升 时间 -- 90 -- ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 -- 150 -- ns
t
f
下降 时间 -- 270 -- ns
E
在
转变-在 切换 丧失 -- 3.1 -- mJ
E
止
转变-止 切换 丧失 -- 7.7 -- mJ
T
sc
短的 电路 承受 时间
V
CC
= 300 v, v
GE
= 15v
@
T
C
= 100
°
C
10 -- -- 美国
Q
g
总的 门 承担
V
CE
= 300 v, i
C
=150a,
V
GE
= 15v
-- 460 -- nC
Q
ge
门-发射级 承担 -- 130 -- nC
Q
gc
门-集电级 承担 -- 190 -- nC
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
FM
二极管 向前 电压 I
F
= 150a
T
C
= 25
°
C
-- 1.9 2.8
V
T
C
= 100
°
C
-- 1.8 --
t
rr
二极管 反转 恢复 时间
I
F
= 150a
di / dt = 300 一个/美国
T
C
= 25
°
C
-- 90 130
ns
T
C
= 100
°
C
-- 130 --
I
rr
二极管 顶峰 反转 恢复
电流
T
C
= 25
°
C
-- 15 20
一个
T
C
= 100
°
C
-- 22 --
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担
T
C
= 25
°
C
-- 675 1270
nC
T
C
= 100
°
C
-- 1430 --
标识 参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 (igbt 部分, 每 1/2 module) -- 0.21
°
C
/
W
R
θ
JC
接合面-至-情况 (二极管 部分, 每 1/2 module) -- 0.48
°
C
/
W
R
θ
JC
情况-至-下沉 (传导性的 grease 应用) 0.045 --
°
C
/
W
重量 重量 的 单元 240 -- g
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