©2002 仙童 半导体 公司 fmg2g150us60e rev. 一个
FMG2G150US60E
0.5 1 10 30
0
5000
10000
15000
20000
25000
30000
35000
Cres
Coes
Cies
一般 发射级
V
GE
= 0v, f = 1mhz
T
C
= 25
℃
电容 [pf]
集电级 - 发射级 电压, v
CE
[V]
图 7. 电容 特性
图 8. 转变-在 特性 vs.
图 9. 转变-止 特性 vs.
门 阻抗
图 10. 切换 丧失 vs. 门 阻抗
图 11. 转变-在 特性 vs.
集电级 电流
图 12. 转变-止 特性 vs.
集电级 电流
110
10
100
1000
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
= +/- 15v
I
C
= 150a
T
C
= 25
0
C
T
C
= 125
0
C
Ton
Tr
切换 时间 [ns]
门 阻抗, r
G
[
Ω
]
110
100
1000
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
= +/- 15v
I
C
= 150a
T
C
= 25
0
C
T
C
= 125
0
C
Toff
Tf
切换 时间 [ns]
门 阻抗, r
g
[
Ω
]
110
1000
10000
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
= +/- 15v
I
C
= 150a
T
C
= 25
0
C
T
C
= 125
0
C
Eon
Eoff
切换 丧失 [uj]
门 阻抗, r
G
[
Ω
]
40 60 80 100 120 140
10
100
Tr
Ton
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
= +/- 15v
R
G
= 2.0
Ω
T
C
= 25
0
C
T
C
= 125
0
C
切换 时间 [ns]
集电级 电流, i
C
[A]
40 60 80 100 120 140
100
1000
Tf
Toff
Toff
Tf
集电级 电流, i
C
[A]
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
= +/- 15v
R
G
= 2.0
Ω
T
C
= 25
0
C
T
C
= 125
0
C
切换 时间 [ns]