©2001 仙童 半导体 公司 fmg2g75us60 rev. 一个
FMG2G75US60
0 100 200 300 400 500 600 700
0.1
1
10
100
500
单独的 nonrepetitive
脉冲波 t
J
≤
125
℃
V
GE
= 15v
R
G
= 3.3
Ω
集电级 电流, i
C
[A]
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
1 10 100 1000
1
10
100
safe 运行 范围
V
GE
= 20v, t
C
= 100
o
C
集电级 电流, i
C
[A]
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
0.3 1 10 100 1000
0.1
1
10
100
500
单独的 nonrepetitive
脉冲波 t
C
= 25
℃
曲线 必须 是 derated
linerarly 和 增加
在 温度
50us
100us
1
㎳
直流 运作
I
C
最大值 (持续的)
I
C
最大值 (搏动)
集电级 电流, i
C
[A]
集电级-发射级 电压, v
CE
[V]
0 50 100 150 200 250 300 350
0
3
6
9
12
15
200 v
V
CC
= 100 v
300 v
一般 发射级
R
L
= 4
Ω
T
C
= 25
℃
门 - 发射级 电压, v
GE
[ v ]
门 承担, qg [ nc ]
图 14. 门 承担 特性
图 13. 切换 丧失 vs. 集电级 电流
图 15. soa 特性
图 16. 转变-止 soa 特性
图 17. rbsoa 特性
图 18. 瞬时 热的 阻抗
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
1e-3
0.01
0.1
1
T
C
= 25
℃
igbt :
二极管 :
热的 回馈, zthjc [
℃
/w]
rectangular 脉冲波 持续时间 [sec]
20 40 60 80 100 120 140
100
1000
10000
Eoff
Eoff
Eon
Eon
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
= +/- 15v
R
G
= 3.3
Ω
T
C
= 25
0
C
T
C
= 125
0
C
切换 丧失 [uj]
集电级 电流, i
C
[A]
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